沉積技術 文章 最新資訊
SPARC：用于先進邏輯和 DRAM 的全新沉積技術
- 芯片已經(jīng)無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新?lián)Q代都在變得更快速、更智能、更強大。創(chuàng)建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現(xiàn)有材料可能無法在所需厚度下實現(xiàn)相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發(fā)明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經(jīng)受進一步處理。SPAR
- 關鍵字： SPARC 先進邏輯 DRAM 沉積技術
應用材料為先進微芯片設計提供流體CVD技術
- 美國應用材料公司今天宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD(流體化學氣相沉積)系統(tǒng)。這是首創(chuàng)的也是唯一的以高質(zhì)量介電薄膜隔離20納米及以下存儲器和邏輯器件中的高密度晶體管的薄膜沉積技術。這些隔離區(qū)域可以形成深寬比大于30(是當今需求的5倍)和高度復雜的形貌。Eterna FCVD系統(tǒng)的獨特工藝能夠以致密且無碳的介電薄膜從底部填充所有這些區(qū)域，并且其成本僅是綜合旋轉方式的一半左右，后者需要更多的設備和很多額外的工藝步驟。 應用材料公司副總裁、電介質(zhì)系統(tǒng)組件和化學機
- 關鍵字： 應用材料 沉積技術 薄膜沉積
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沉積技術介紹
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