如何優(yōu)化SiC柵級(jí)驅(qū)動(dòng)電路？

• 對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢(shì)。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開(kāi)關(guān)性能優(yōu)勢(shì)。它是電壓控制的場(chǎng)效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓開(kāi)關(guān)，同時(shí)開(kāi)關(guān)頻率等于或高于低壓硅 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率。之前的文章中，我們介紹了SiC MOSFET 特有的器件特性。今天將帶來(lái)本系列文章的第二部分SiC柵極驅(qū)動(dòng)電路的關(guān)鍵要求和NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)器的基本功能。分立式 SiC 柵極驅(qū)動(dòng)為了補(bǔ)償?shù)驮鲆娌?shí)現(xiàn)高效、高
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