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          柵漏電流 文章 最新資訊

          MOSFET柵漏電流噪聲分析

          • CMOS器件的等比例縮小發(fā)展趨勢(shì),導(dǎo)致了柵等效氧化層厚度、柵長(zhǎng)度和柵面積都急劇減小。柵氧化層越薄,柵漏電流越 ...
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  柵漏電流  噪聲分析  
          共2條 1/1 1

          柵漏電流介紹

          PN結(jié)在截止時(shí)流過(guò)的很微小的電流。 目錄 1 電源 2 電容 3 計(jì)算公式 4 相關(guān)詞條 5 參考資料 柵漏電流-電源 開(kāi)關(guān)電源中為了減少干擾,按照國(guó)標(biāo),必須設(shè)有EMI濾波器電路。由于EMI電路的關(guān)系,使得在開(kāi)關(guān)電源在接上市電后對(duì)地有一個(gè)微小的電流,這就是柵漏電流。如果不接地,計(jì)算機(jī)的外殼會(huì)對(duì)地帶有110伏電壓,用手摸會(huì)有麻的感覺(jué),同時(shí)對(duì)計(jì)算 [ 查看詳細(xì) ]

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