國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)！基本半導(dǎo)體挑戰(zhàn)極限高溫測(cè)試“火”力全開(kāi)

• 挑戰(zhàn)驕陽(yáng)火焰山，何須芭蕉借又還。國(guó)產(chǎn)芯片真金質(zhì)，不懼火煉過(guò)樓蘭。——鄭廣州國(guó)創(chuàng)中心副總經(jīng)理8月14日，國(guó)家新能源汽車(chē)技術(shù)創(chuàng)新中心（簡(jiǎn)稱(chēng)“國(guó)創(chuàng)中心”）邀請(qǐng)基本半導(dǎo)體等13家國(guó)內(nèi)整車(chē)和半導(dǎo)體企業(yè)的專(zhuān)家，實(shí)地開(kāi)展“中國(guó)車(chē)規(guī)半導(dǎo)體首批測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目吐魯番高溫試驗(yàn)”活動(dòng)，并舉行了車(chē)規(guī)半導(dǎo)體測(cè)試驗(yàn)證項(xiàng)目高溫測(cè)試技術(shù)研討會(huì)。自2019年7月底開(kāi)始，國(guó)創(chuàng)中心攜搭載了國(guó)產(chǎn)自主硅基IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）、碳化硅二極管和碳化硅MOSFET（金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的4輛試驗(yàn)車(chē)，在吐魯番進(jìn)行為期一個(gè)月的“極限高溫”
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