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長(zhǎng)江存儲(chǔ)全面完成股改，估值已超1600億元

總部位于武漢的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技控股有限責(zé)任公司（長(zhǎng)存集團(tuán)）召開股份公司成立大會(huì)并選舉首屆董事會(huì)，此舉或意味著其股份制改革已全面完成。在胡潤(rùn)研究院最新發(fā)布的《2025全球獨(dú)角獸榜》中，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以1600億元估值首次入圍，位列中國(guó)十大獨(dú)角獸第9、全球第21，成為半導(dǎo)體行業(yè)估值最高的新晉獨(dú)角獸。根據(jù)公開信息，2025年4月，養(yǎng)元飲品子公司泉泓、農(nóng)銀投資、建信投資、交銀投資、中銀資產(chǎn)、工融金投等15家機(jī)構(gòu)同步參與；7月，長(zhǎng)存集團(tuán)新增股東員工持股平臺(tái) —— 武漢市智芯計(jì)劃一號(hào)至六號(hào)企業(yè)管理合伙企業(yè)（有限合伙），上述兩筆
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 半導(dǎo)體 3D NAND 晶棧 Xtacking

近日，三星與長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關(guān)專利許可協(xié)議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨(dú)立的硅片上制造，因此需要長(zhǎng)江存儲(chǔ)的專利技術(shù)W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術(shù)實(shí)現(xiàn)?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統(tǒng)的凸點(diǎn)連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
關(guān)鍵字：三星長(zhǎng)江存儲(chǔ) NAND 混合鍵合晶棧 Xtacking 閃存

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