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          無機(jī)空穴 文章 最新資訊

          利用無機(jī)空穴傳輸層提高Cu?SrSnS?太陽能電池的性能

          • CdTe 和 CIGSe 等薄膜太陽能電池因其低生產(chǎn)成本和出色的功率轉(zhuǎn)換效率 (PCE) 而受到廣泛關(guān)注。然而,組成元素的毒性和稀缺性限制了它們的廣泛使用。近日,Cu2SrSnS4半導(dǎo)體因其卓越的吸收特性(包括無毒、地球豐度、可調(diào)帶隙等)而成為一種潛在的替代品。但是,它仍處于新興階段,PCE 僅為 0.6%,這表明它需要顯著增強(qiáng)才能與傳統(tǒng)太陽能電池競爭。開路電壓大 (VOC (英超頻)) 損耗會(huì)限制其性能,這主要源于與傳輸層的頻帶對(duì)齊不當(dāng)。發(fā)現(xiàn)理想的設(shè)備配置是增強(qiáng)其 PCE 的最佳解決方案。最近,SCAP
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          無機(jī)空穴介紹

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