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恒憶Omneo系列相變存儲(chǔ)器耐寫次數(shù)高達(dá)100萬次

　　近日，恒憶(Numonyx)作為相變存儲(chǔ)技術(shù)(PCM)的創(chuàng)新者，宣布正式推出全新系列相變存儲(chǔ)器。該系列產(chǎn)品采用被稱為相變存儲(chǔ)(PCM)的新一代存儲(chǔ)技術(shù)，具有更高的寫入性能、耐寫次數(shù)和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)易性，適用于固線和無線通信設(shè)備、消費(fèi)電子、PC和其他嵌入式應(yīng)用設(shè)備。目前該產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)，并向市場(chǎng)供貨。　　這種新的嵌入式存儲(chǔ)器融閃存、RAM和EEPROM三大存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)于一身，一顆存儲(chǔ)器芯片即可實(shí)現(xiàn)很多新功能。新產(chǎn)品發(fā)布采用了新品牌Numonyx Omneo PCM，其寫入速度有望達(dá)到現(xiàn)有閃存的300倍，耐寫次
關(guān)鍵字：恒憶相變存儲(chǔ)器

　　非易失性存儲(chǔ)器(NVM)在半導(dǎo)體市場(chǎng)占有重要的一席之地，特別是主要用于手機(jī)和其它便攜電子設(shè)備的閃存芯片。今后幾年便攜電子系統(tǒng)對(duì)非易失性存儲(chǔ)器的要求更高，數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用需要寫入速度極快的高密度存儲(chǔ)器，而代碼執(zhí)行應(yīng)用則要求存儲(chǔ)器的隨機(jī)訪存速度更快。　　經(jīng)過研究人員對(duì)浮柵存儲(chǔ)技術(shù)的堅(jiān)持不懈的研究，現(xiàn)有閃存的技術(shù)能力在2010年底應(yīng)該有所提升，盡管如此，現(xiàn)在人們?cè)絹碓疥P(guān)注有望至少在2020年末以前升級(jí)到更小技術(shù)節(jié)點(diǎn)的新式存儲(chǔ)器機(jī)制和材料。　　目前存在多種不同的可以取代浮柵概念的存儲(chǔ)機(jī)制，相變存儲(chǔ)器(PC
關(guān)鍵字：恒憶 NVM 存儲(chǔ)器浮柵存儲(chǔ)

　　走在下行周期上的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)碰上了30年代“大蕭條”后全球最慘烈的經(jīng)濟(jì)危機(jī)，猶如雪上加霜。而作為整個(gè)行業(yè)晴雨表的存儲(chǔ)器更是早在去年就表現(xiàn)出了極大的疲軟態(tài)勢(shì)。英特爾和意法半導(dǎo)體剝離閃存事業(yè)部后，聯(lián)合成立的閃存公司恒憶（Numonyx）卻在今年4月掛牌營(yíng)運(yùn)，在這樣一個(gè)人人自危的時(shí)候，作為全球最大的閃存公司，恒憶是如何看待閃存市場(chǎng)前景的？恒憶（亞洲）副總裁兼總經(jīng)理 Rolf-Peter Seibl 　　“存儲(chǔ)器市場(chǎng)的確在一些細(xì)分市場(chǎng)除了先樂周期性衰退，但是我們相信
關(guān)鍵字：恒憶閃存 200812

　　恒憶公司（Numonyx）針對(duì)無線通信、嵌入式設(shè)計(jì)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)市場(chǎng)推出新系列NAND閃存產(chǎn)品。新系列產(chǎn)品包括32Gb（gigabits）的多級(jí)單元 (MLC) NAND閃存、32GB（gigabytes）的eMMC存儲(chǔ)芯片和高達(dá)8 GB的 microSD產(chǎn)品，全部采用先進(jìn)的41nm制造工藝。對(duì)于手機(jī)、便攜導(dǎo)航儀等消費(fèi)電子產(chǎn)品廠商，這些新產(chǎn)品將是一系列易于設(shè)計(jì)的存儲(chǔ)器解決方案；對(duì)于消費(fèi)者，新產(chǎn)品將提供更大的存儲(chǔ)空間，他們可以在設(shè)備上保存相片、視頻和音樂，使用流行的多媒體應(yīng)用程序。　　從機(jī)頂盒到手機(jī)，凡
關(guān)鍵字：恒憶

　　恒憶（Numonyx）今天宣布與海力士半導(dǎo)體公司達(dá)成為期五年的協(xié)議，在飛速增長(zhǎng)的NAND閃存領(lǐng)域擴(kuò)展聯(lián)合開發(fā)計(jì)劃。針對(duì)NAND技術(shù)在未來五年面臨的挑戰(zhàn)，兩家公司將擴(kuò)大NAND產(chǎn)品線并共同研發(fā)未來產(chǎn)品，進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新。　　根據(jù)新協(xié)議，恒憶和海力士將擴(kuò)大聯(lián)合開發(fā)的范圍，共同提供領(lǐng)先的NAND存儲(chǔ)器技術(shù)和產(chǎn)品，并且整合資源以加快未來NAND技術(shù)及解決方案的開發(fā)。在應(yīng)用于手機(jī)多芯片封裝的移動(dòng)DRAM領(lǐng)域，雙方也將進(jìn)行合作。　　恒憶總裁兼首席執(zhí)行官Brian Harrison表示："未來五年，在
關(guān)鍵字： NAND 恒憶海力士閃存

　　恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列，此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，不但可以給手機(jī)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲(chǔ)性能，而且比目前其他解決方案價(jià)格更低。這些裝置在提供高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）內(nèi)容平臺(tái)低成本解決方案的同時(shí)，還可達(dá)到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲(chǔ)器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲(chǔ)器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無縫的絕佳架構(gòu)途
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器恒憶 Numonyx RAM

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