低驅動電壓RF MEMS懸臂梁開關的對比研究*

• 　　歐書俊，張國俊，王姝婭，戴麗萍，鐘志親（電子科技大學 電子薄膜與集成器件國家重點實驗室，四川 成都 611731）　　摘 要：本文針對一字型懸臂梁RF MEMS開關，提出了兩種降低驅動電壓RF MEMS開關的方法，分別為：增大局部驅動面積和降低彈性系數(shù)。根據(jù)這兩種方法設計了4種形狀的懸臂梁開關，分別為增大局部驅動面積的十字型梁，降低彈性系數(shù)的三叉戟型、蟹鉗型和折疊型梁。在梁的長度、厚度和初始間隙等參數(shù)一致的情況下，通過CMOSOL軟件建模仿真得到了這4種懸臂梁的驅動電壓，分別為7.2 V、5.6 V、
• 關鍵字： 202007  RF MEMS  懸臂梁  驅動電壓  彈性系數(shù)