安森美 文章 最新資訊
5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品！
- 當您設(shè)計新電力電子產(chǎn)品時，您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求，但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導體的開關(guān)電源，其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC？為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計的首選功率半導體是正確的，請考慮以下突出的特性。與標準或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
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氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要
- NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器，能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵（以下簡稱“GaN”） 功率開關(guān)。只有合理設(shè)計能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ，才能實現(xiàn)實現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設(shè)計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器，為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
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一文搞懂IGBT的損耗與結(jié)溫計算
- 與大多數(shù)功率半導體相比，IGBT 通常需要更復雜的一組計算來確定芯片溫度。這是因為大多數(shù) IGBT 都采用一體式封裝，同一封裝中同時包含 IGBT 和二極管芯片。為了知道每個芯片的溫度，有必要知道每個芯片的功耗、頻率、θ 和交互作用系數(shù)。還需要知道每個器件的 θ 及其交互作用的 psi 值。本應(yīng)用筆記將簡單說明如何測量功耗并計算二極管和 IGBT 芯片的溫升。損耗組成部分根據(jù)電路拓撲和工作條件，兩個芯片之間的功率損耗可能會有很大差異。IGBT 的損耗可以分解為導通損耗和開關(guān)（開通和關(guān)斷）損耗，而二極管損耗
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碳化硅如何革新電氣化趨勢
- 在相當長的一段時間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來了一種替代材料，它能減輕對硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導體：將電子激發(fā)到導帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標準硅基器件的多種優(yōu)勢。由于漏電流更小且?guī)陡螅骷梢栽诟鼘挼臏囟确秶鷥?nèi)工作，而不會發(fā)生故障或降低效率。它還具有化學惰性，所有這些優(yōu)點進一步鞏固了 SiC 在電力電子領(lǐng)域的重要性，并促成了它的快速普及。SiC 功率器件目前已廣泛用于眾多應(yīng)用，例如電源、純
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使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（三）：設(shè)計要點和PCB布局指南
- 本設(shè)計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實戰(zhàn)經(jīng)驗。上兩期分別講解了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹與選型指南以及使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動器的電源、濾波設(shè)計與死區(qū)時間控制，本文為第三部分，將為大家?guī)碓O(shè)計中的要點和PCB布局指南。設(shè)計驅(qū)動器VCC時，關(guān)于上電延遲有哪些注意事項？對于所使用的驅(qū)動器，要設(shè)計一個高能效且快速的電路，啟動時間是一個重要因素。因此，啟動時間必須要短。但是，啟動時間受上電延遲的限制，上電延遲是指驅(qū)動器使能到首次柵極輸出的時間。
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約29.35億元，全球半導體再現(xiàn)12英寸廠出售案
- 近日，安森美宣布，已成功收購格芯(GlobalFoundries) 位于美國紐約州東菲什基爾（East Fishkill，EFK）地區(qū)的300mm晶圓廠，自2022年12月31日起生效。該交易為安森美團隊增加了1,000多名世界一流的技術(shù)專家和工程師。2019年4月，安森美與格芯宣布達成協(xié)議，收購格芯位于美國紐約州East Fishkill的300mm晶圓，總價格為4.3億美元（約合人民幣29.35億元），其中1億美元已在簽署最終協(xié)議時支付，3.3億美元在2022年底支付。根據(jù)協(xié)議，安森美幾年內(nèi)可在該廠增
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安森美舉行剪彩儀式,慶祝原格芯紐約東菲什基爾工廠所有權(quán)轉(zhuǎn)讓完成
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi），近日宣布于2022年12月31日成功完成了對格芯（GlobalFoundries）位于紐約州東菲什基爾（EFK）的300毫米工廠的收購。該交易為安森美團隊帶來了1000多名世界一流的技術(shù)專家和工程師人才。在過去的三年里，安森美一直致力于確保東菲什基爾（EFK）工廠及其員工的長遠發(fā)展，大力投資于300毫米的生產(chǎn)能力，以加快公司在電源、模擬和感知產(chǎn)品的增長，并優(yōu)化制造成本結(jié)構(gòu)。東菲什基爾（EFK）工廠為安森美帶來了先進的CMOS制造能力--包括生產(chǎn)圖像傳感
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使用隔離式柵極驅(qū)動器的設(shè)計指南（二）：電源、濾波設(shè)計與死區(qū)時間
- 本設(shè)計指南分為三部分，將講解如何為電力電子應(yīng)用中的功率開關(guān)器件選用合適的隔離柵極驅(qū)動器，并介紹實戰(zhàn)經(jīng)驗。上次為大家梳理了隔離式柵極驅(qū)動器的介紹和選型指南，本文為第二部分，將帶大家全面了解使用安森美(onsemi)隔離式柵極驅(qū)動器的電源、濾波設(shè)計以及死區(qū)時間控制。電源建議以下是使用隔離式柵極驅(qū)動器電源時應(yīng)注意的一些建議。VDD 和 VCC 的旁路電容對于實現(xiàn)可靠的隔離式柵極驅(qū)動器性能至關(guān)重要。建議選擇具有適當電壓額定值、溫度系數(shù)和電容容差的低 ESR 和低 ESL 表面貼裝多層陶瓷電容
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e絡(luò)盟開售安森美能源基礎(chǔ)設(shè)施解決方案
- 憑借數(shù)十年的創(chuàng)新技術(shù)經(jīng)驗以及可靠高效的下一代功率半導體，安森美將為能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用實現(xiàn)更高功率密度水平，降低功率損耗，并縮短開發(fā)時間?中國上海，2023年2月2日 – 安富利旗下全球電子元器件產(chǎn)品與解決方案分銷商e絡(luò)盟宣布供應(yīng)安森美（onsemi）EliteSiC系列高度優(yōu)化的最新碳化硅（SiC）產(chǎn)品，適用于能源基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用。與同類競品相比，這些新器件在現(xiàn)實條件下實現(xiàn)了更低的開關(guān)損耗，能夠滿足下一代能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的更高性能要求。隨著脫碳轉(zhuǎn)型的加速，全球能源需求逐步轉(zhuǎn)向部署更多能源基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)，
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第三代半導體功率器件在汽車上的應(yīng)用
- 目前碳化硅(SiC)在車載充電器(OBC)已經(jīng)得到了普及應(yīng)用，在電驅(qū)的話已經(jīng)開始逐步有企業(yè)開始大規(guī)模應(yīng)用，當然SiC和Si的功率器件在成本上還有一定的差距，主要是因為SiC的襯底良率還有長晶的速度很慢導致成本偏高。隨著工藝的改進，這些都會得到解決。同時SiC由于開關(guān)速度比較快，衍生出來的問題在應(yīng)用里還沒有完全的暴露出來，隨著SiC的終端客戶在這方面的應(yīng)用經(jīng)驗越來越豐富，SiC的使用也會趨于成熟。接下來，安森美(onsemi)汽車主驅(qū)功率模塊產(chǎn)品線經(jīng)理陸濤將和您聊聊關(guān)于未來SiC在新能源汽車上的普及及應(yīng)用。
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安森美與大眾汽車集團就下一代電動汽車的碳化硅(SiC)技術(shù)達成戰(zhàn)略協(xié)議，進一步鞏固戰(zhàn)略合作關(guān)系
- 2023 年 1 月 30 日—領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布與德國大眾汽車集團 (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團的下一代平臺系列提供模塊和半導體器件，以實現(xiàn)完整的電動汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。?安森美將首先交付其 EliteSiC 1200 V 主驅(qū)逆變器電源模塊，作為協(xié)議的一部分。EliteSiC 電源模塊具備引腳兼容特性，可
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安森美:圍繞全球可持續(xù)發(fā)展的共同目標而推進
- 安森美(onsemi) 得益于在電動汽車/ 汽車功能電子化、自動駕駛、光伏、儲能和工廠自動化等市場的戰(zhàn)略布局和技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢，近6個季度的財務(wù)業(yè)績連創(chuàng)新高，2022 年第3 季度實現(xiàn)破紀錄收入21.926 億美元，其中汽車和工業(yè)市場收入占比達到68%。展望2023 年，我們?nèi)詴Ｗ⒂谶@兩大長期增長的市場，持續(xù)精益業(yè)務(wù)及流程改進，優(yōu)化產(chǎn)能，提升客戶體驗及滿意度，以智能電源和智能感知技術(shù)創(chuàng)新推動兩倍的市場增長。碳化硅(“SiC”) 是未來功率半導體最主流的方向，是顛覆創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)之一。SiC 用于汽車主驅(qū)、車
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安森美宣布新任首席人力資源官
- 領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi)，宣布新任首席人力資源官（CHRO）Padma Thiruvengadam，自2022年12月12日起生效。Padma Thiruvengadam將領(lǐng)導安森美以人為本的活動--監(jiān)管人才招聘和發(fā)展；多元化、公平性和包容性(DEI)；整體薪酬回報以及人力資源體系、洞察及分析—以給員工最佳的體驗。Thiruvengadam接替的是Tobin Cookman，他從2012年開始領(lǐng)導人力資源團隊，為安森美提供了超過25年的杰出服務(wù)。作為新任首席人力資源官（CHRO
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安森美介紹
安森美半導體(ON Semiconductor, 美國納斯達克上市代號：ONNN)擁有跨越全球的物流網(wǎng)絡(luò)和強大的產(chǎn)品系列，是計算機、通信、消費產(chǎn)品、汽車、醫(yī)療、工業(yè)和軍事/航空等市場客戶之首選高能效半導體技術(shù)供應(yīng)商。公司廣泛的產(chǎn)品系列包括電源管理、信號、邏輯、分立及定制器件。
公司的全球總部位于美國亞利桑那州菲尼克斯，并在北美、歐洲和亞太地區(qū)等關(guān)鍵市場運營包括制造廠、銷售辦事處和設(shè)計中心的業(yè)務(wù) [ 查看詳細 ]
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