場效應管 文章 最新資訊
圖解使用數(shù)字萬用表測量場效應管MOS管
- 場效應管英文縮寫為FET??煞譃榻Y(jié)型場效應管(JFET)和絕緣柵型場效應管(MOSFET),我們平常簡稱為MOS管。而MOS...
- 關(guān)鍵字: 數(shù)字萬用表 場效應管
設(shè)置時間不到20ns的GaAs pHEMT微波開關(guān)
- 關(guān)鍵字: GaAs 微波 開關(guān)時間 場效應管
場效應管中英文對照表
- 在場效應管對照表中,收編了美國、日本及歐洲等近百家半導體廠家生產(chǎn)的結(jié)型場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場次晶體管(MOSFET)、肖特基勢壘控制柵場效應晶體管(SB)、金屬半導體場效應晶體管(MES)、高電子遷移率晶體管(HEMT)、靜電感應晶體管(SIT)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)等屬于場效應晶體管系列的單管、對管及組件等,型號達數(shù)萬種之多。每種型號的場效應晶體管都示出其主要生產(chǎn)廠家、材料與極性、外型與管腳排列、用途與主要特性參數(shù)。同時還在備注欄列出世界各國可供代換的場效應晶體管型號,其中
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場效應管參數(shù)符號意義
- Cds---漏-源電容Cdu---漏-襯底電容Cgd---柵-源電容Cgs---漏-源電容Ciss---柵短路共源輸入電容Coss---柵短路共源輸出電容Crss---柵短路共源反向傳輸電容D---占空比(占空系數(shù),外電路參數(shù))di/dt---電流上升率(外電路參數(shù))dv/dt---電壓上升率(外電路參數(shù))ID---漏極電流(直流)IDM---漏極脈沖電流ID(on)---通態(tài)漏極電流IDQ---靜態(tài)漏極電流(射頻功率管)IDS---漏源電流IDSM---最大漏源電流IDSS---柵-源短路時,漏極電流I
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新型抑制浪涌電流電路的設(shè)計
- 摘要: 提出了一種新型抑制浪涌電流電路,給出了實際設(shè)計方案。關(guān)鍵詞: 浪涌電流;場效應管 引言在現(xiàn)代電子設(shè)備中有許多繼電器用于電源開關(guān)。但在開關(guān)過程中,常伴隨著幾個到幾十個毫秒的觸點回跳和抖動過程,單次抖跳的時間可達幾十微秒到幾毫秒,因此會引起被控電路的多次誤動作。同時存在不同程度的機械碰撞噪聲,由于觸點電弧火花,會引發(fā)嚴重的EMI和RFI,關(guān)斷時的線圈反電勢高達幾百到幾千伏,嚴重時會危及驅(qū)動電路,由于超過規(guī)定的尖峰電壓、浪涌電流會使觸點擊穿、燒損或粘結(jié),從而誤導通或喪失功能。如何解
- 關(guān)鍵字: 0609_A 場效應管 浪涌電流 消費電子 雜志_設(shè)計天地 消費電子
新型饋電狀態(tài)傳感器的研究
- 摘 要:本文介紹的新型饋電狀態(tài)傳感器,以電容檢測原理來監(jiān)測電纜芯線對地電場狀態(tài),從而間接檢測礦井電纜的饋電狀態(tài),與負載是否工作、電纜有無電流無關(guān)。具有結(jié)構(gòu)簡單、成本低、可靠性高、靈敏度高、易于維護以及更換方便等優(yōu)點。關(guān)鍵詞:饋電狀態(tài);傳感器;監(jiān)控系統(tǒng);場效應管引言目前市場上的饋電狀態(tài)傳感器大多基于光纖、電壓互感器或采用霍耳器件,除進行防爆、防塵、防潮外,均沒有進一步針對煤礦井下特殊條件進行考慮,所以在用于煤炭安全生產(chǎn)的設(shè)備中存在著難維護、靈敏度低、可靠性差、系統(tǒng)復雜、造
- 關(guān)鍵字: 場效應管 傳感器 監(jiān)控系統(tǒng) 饋電狀態(tài)
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