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CMOS可靠性測試：脈沖技術如何助力AI、5G、HPC？
- 在半導體領域，隨著技術的不斷演進，對CMOS（互補金屬氧化物半導體）可靠性的要求日益提高。特別是在人工智能（AI）、5G通信和高性能計算（HPC）等前沿技術的推動下，傳統(tǒng)的可靠性測試方法已難以滿足需求。本文將探討脈沖技術在CMOS可靠性測試中的應用，以及它如何助力這些新興技術的發(fā)展。引言對于研究半導體電荷捕獲和退化行為而言，交流或脈沖應力是傳統(tǒng)直流應力測試的有力補充。在NBTI（負偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗中，應力/測量循環(huán)通常采用直流信號，因其易于映射到器件模型中。然而，結(jié)
- 關鍵字： CMOS 可靠性測試 脈沖技術 AI 5G HPC 泰克科技
CMOS可靠性測試新趨勢：脈沖技術如何助力AI、5G、HPC？
- 對于研究半導體電荷捕獲和退化行為來說，交流或脈沖應力對典型的應力測試是一個有用的補充。NBTI（負偏置溫度不穩(wěn)定性）和TDDB（隨時間變化的介電擊穿）試驗包括應力/測量循環(huán)。所施加的應力電壓通常是一個直流信號，使用它是因為它更容易映射到器件模型中。然而，結(jié)合脈沖應力測試提供了額外的數(shù)據(jù)，允許更好地理解依賴頻率電路的器件性能。傳統(tǒng)上，直流應力和測量技術被廣泛用于表征CMOS晶體管的可靠性，如由溝道熱載流子注入（HCI）和時間依賴性介電擊穿（TDDB）引起的退化。然而，隨著新的可靠性測試的發(fā)展，如金屬氧化物半
- 關鍵字： 脈沖電壓 可靠性測試 脈沖應力
WLR測試中所面臨的新挑戰(zhàn)
- 就像摩爾定律驅(qū)動半導體幾何尺寸的縮小一樣，有關解決半導體可靠性問題的活動也遵循一個似乎有點可以預測的周期。例如，技術演進到VLSI時，為了保持導線的電路速度，引入了鋁線連接。此時，很快就發(fā)現(xiàn)了電子遷移這類的可靠性問題。一旦發(fā)現(xiàn)了問題所在，就會通過實驗來對退化機制進行建模。利用這些模型，工藝工程師努力使新技術的可靠性指標達到最佳。隨著技術的進一步成熟，焦點轉(zhuǎn)移到缺陷的降低上面。而隨著ULSI的引入，由于使用了應力硅、銅和低K介電材料等，又開始一輪新周期。 隨著引入的化合物材料的增加，可靠性方面的挑
- 關鍵字： 半導體 VLS 可靠性測試 晶體管
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