可控硅（scr） 文章 最新資訊
干擾太大讓工控系統(tǒng)的效果大打折扣，怎么挽救？
- 干擾太大讓工控系統(tǒng)的效果大打折扣，怎么挽救？-設計的工控系統(tǒng)即將成功，然而一通電卻發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)干擾太大，導致效果比理想相差很多，甚至糟糕。抗干擾措施的基本原則是：抑制干擾源，切斷干擾傳播路徑，提高敏感器件的抗干擾性能。 抑制干擾源 抑制干擾源就是盡可能的減小干擾源的du/dt，di/dt。這是抗干擾設計中最優(yōu)先考慮和最重要的原則，常常會起到事半功倍的效果。
- 關鍵字： 工控系統(tǒng) 二極管 可控硅
Littelfuse新推高溫Alternistor三端雙向可控硅簡化熱管理并抑制高浪涌
- Littelfuse, Inc.，作為全球電路保護領域的領先企業(yè)，今日宣布推出兩個系列的高溫Alternistor三端雙向可控硅，成為該公司晶閘管產品組合中的最新產品。 16A QJxx16xHx系列和25A QJxx25xHx系列產品的最高結溫為150°C，專為交流開關而設計，可幫助電路設計師應對散熱有限或無散熱的交流電源控制應用發(fā)生過熱的難題。 憑借高峰值、單周期交流電流脈沖額定值，其可耐受加熱器和電機控制應用中更高的突入電流?！ Jxx16Hx
- 關鍵字： Littelfuse 可控硅
雙向可控硅噪聲抑制的基本原理和新的低成本的dV/dt性能改進解決方案
- 從上個世紀70年代開始，雙向可控硅(又稱三端雙向晶閘管)一直用于控制交流負載，幾乎在所有電器上都能看到雙向可控硅。當終端設備上的電壓上升速率過快時，雙向可控硅將會自動觸發(fā)，從那時起，設計人員就必須面對雙向可控硅的這個特性。當設計對電壓快速瞬變有要求的電器時，必須考慮這個問題。 半導體易受到dV/dt變化速率的影響 功率半導體器件由多個半導體層組成。例如，雙向可控硅是四層結構交流開關元件，每層是半個祼片，每層通過交替摻雜方法控制空穴濃度(P區(qū))或自由電子濃度(N區(qū))，形成兩個單向可控硅。因此
- 關鍵字： 可控硅
可控硅（scr）介紹
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