雙運放電流源的基本操作

• 合適的設備概念應允許一定的設計自由度，以便適應各種任務概況的需求，而無需對處理和布局進行重大改變。然而，關鍵性能指標仍然是所選器件概念的低面積比電阻，與其他列出的參數(shù)相結(jié)合。圖 1 列出了一些被認為必不可少的參數(shù)，還可以添加更多參數(shù)。圖 1：必須與 SiC MOSFET 的性能指標（左）進行平衡的所選參數(shù)（右）重要的驗收標準之一是設備在其目標應用的操作條件下的可靠性。與現(xiàn)有硅器件世界的主要區(qū)別在于，SiC 元件在更高的內(nèi)部電場下工作。相關機制需要仔細分析。它們的共同點是，器件的總電阻由漏極和源極接觸電阻的
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