第三代半導(dǎo)體核芯氮化鎵，何時(shí)紅透半邊天？

• 半導(dǎo)體研究隨著以空間技術(shù)、計(jì)算機(jī)為導(dǎo)向的第三次科技革命（1950年）拉開帷幕。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為知識(shí)技術(shù)高度密集、資金密集、科研密集型產(chǎn)業(yè)，由上游（半導(dǎo)體材料）、中游（光電子、分立器件、傳感器、集成電路）、下游（終端電子產(chǎn)品）組成。第一代半導(dǎo)體材料：硅、鍺元素。金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）、絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）已在各類電子器件、集成電路中廣泛應(yīng)用。第二代半導(dǎo)體材料：砷化鎵、磷化銦等化合物。禁帶寬度比第一代半導(dǎo)體材料大，但擊穿電壓不夠高，在高溫、高功率下應(yīng)用效果不理想，砷化鎵源材料有
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