制程 文章 最新資訊
06年半導體材料市場穩(wěn)中有升硅晶圓增長
- 國際半導體設(shè)備暨材料協(xié)會(SEMI)分析師Dan Tracy日前預計，2006年總體材料市場增長7.2%，將從2005年的179.53億美元增長至192.4億美元。Tracy曾預計該領(lǐng)域在2005年會獲得6%的年度增長，而后由臺灣工研院經(jīng)資中心(IEK)公布的實際增長率為5.8%。 分析師指出，在300毫米晶圓技術(shù)驅(qū)動下，預計全球硅晶圓材料市場在未來幾年將出現(xiàn)強勁增長。2006年硅晶圓市場預計增長7.4%，從2005年的82.02億美元增長到2006年的89.88億美元。 Tracy
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富士通建新晶圓廠生產(chǎn)邏輯芯片
- 富士通株式會社近日宣布將建立一個新的晶圓廠，采用最先進的65納米工藝技術(shù)和300毫米的晶圓大批量生產(chǎn)邏輯半導體。該工廠將建在位于日本中部三重縣的富士通三重半導體工廠內(nèi)，這將是該工廠第二個300毫米晶圓廠，以下稱簡稱為“300毫米晶圓二廠”。 擁有雙層潔凈室結(jié)構(gòu)的300毫米晶圓二廠計劃在2006會計年度內(nèi)建成（2006年4月至2007年3月），并將于2007年4月投入運營，預計于2007年7月起開始批量出貨。 在至2007會計年度末的兩年時間內(nèi)，富士通將為新晶圓廠投入約12
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八吋晶圓廠“登陸”年底可望解禁
- 近日電臺“經(jīng)濟部長”何美玥表示，兩岸議題在二次“經(jīng)發(fā)會”是一定要談的，而一些已有共識、且較無爭議的兩岸經(jīng)貿(mào)開放，應(yīng)會在年底前先做，“不會等太久”。外界預期，年底前應(yīng)會通過力晶、茂德兩座八吋晶圓廠“登陸”申請案。 據(jù)臺灣媒體報道，對于中芯國際總裁張汝京接受媒體訪問時表示“臺灣再不開放，半導體優(yōu)勢將漸失”時，何美玥表示，是否開放高科技產(chǎn)業(yè)赴大陸投資，將是二次“經(jīng)發(fā)會”重要議題。 報道說，何美玥指望年底前開放的應(yīng)是通過力晶、茂德八吋晶圓廠“登陸”申請案。其次是，為維持島內(nèi)業(yè)者競爭力，進一步
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多相同步DC-DCPWM控制器LTC1629
- 1引言 Linear公司生產(chǎn)的PWM控制器LTC1629是專門為低壓大電流的DC DC變換電路設(shè)計的，其主要特點有： 通過使用PolyPhaseTM技術(shù)可以有效減少輸入和輸出電容器的數(shù)量，提高系統(tǒng)的響應(yīng)速度，減少系統(tǒng)的體積和造價； 每1個單獨的芯片可以同時驅(qū)動兩路BUCK變換器，它們在相位上相差180
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彩屏手機背光驅(qū)動電路的選擇策略
- 近幾年來，彩色LCD顯示屏在手機中使用量越來越大，白光LED為這種應(yīng)用提供了完美的背光解決方案。由于白光LED的導通壓降一般為3.5V(20mA)，最大值可以到達4V，而單節(jié)鋰離子電池的一般輸出電壓為3.6V~4.2V，因此，一般不能直接用單節(jié)鋰離子電池來驅(qū)動白光LED，通常需要用專門的LED驅(qū)動電路來實現(xiàn)。 1 驅(qū)動電路介紹 目前，一般的LED驅(qū)動電路可以分成二種，一種是串聯(lián)驅(qū)動，采用電感型DC-DC升壓轉(zhuǎn)換原理，所有的LED是串聯(lián)連接的形式；另一種是并聯(lián)驅(qū)動，采用電容型的電荷泵倍壓原理
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吉時利第三代晶圓射頻測量功能產(chǎn)品
- 吉時利儀器公司（Keithley）發(fā)布了用于半導體生產(chǎn)的第三代晶圓射頻 (RF) 測量能力的產(chǎn)品。該射頻參數(shù)測量系統(tǒng)的RF選件解決方案（選配件），能提供連續(xù)、自動、實時的測試和質(zhì)量監(jiān)控，操作方便，可獲得最高通過率的信息吞吐量，測量質(zhì)量高，且成本較低。 此外，該射頻參數(shù)測量系統(tǒng)在全球范圍內(nèi)，是目前唯一獲得驗證的半導體參數(shù)測量系統(tǒng)，適合200mm和300mm晶圓廠進行應(yīng)用參數(shù)工藝控制，以及高性能邏輯電路生產(chǎn)和高性能模擬集成電路生產(chǎn)。 吉時利公司的RF選件包括S680型SimulT
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提高射頻電路集成度應(yīng)對多模手機設(shè)計挑戰(zhàn)
- 為滿足下一代蜂窩電話設(shè)計對更多特性、多模式及工作頻率的需求，工程師們必須尋找提高射頻前端集成度的途徑。通過采用CMOS 工藝的最新集成方案，他們找到了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的答案。 消費者對更小、更便宜手機和手持式設(shè)備中實現(xiàn)更多功能以及高速無線數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)與多重無線電技術(shù)(多模式)需求，正推動移動電話市場的增長。在2.5G 網(wǎng)絡(luò)(GPRS 及CDMA 1xRTT) 與3G 網(wǎng)絡(luò)(UMTS/W-CDMA 及cdma2000)的進展使高速無線數(shù)據(jù)業(yè)務(wù)成為可能的同時，通過采用適當?shù)墓韫に囈约凹缮漕l收發(fā)器等關(guān)鍵構(gòu)建
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用iPOWIRTM系列產(chǎn)品簡化DC-DC 硬件設(shè)計
- 介紹 電源系統(tǒng)設(shè)計者正面臨著越來越嚴峻的挑戰(zhàn)，一方面是提高電源性能來滿足更大負載的要求，另一方面是在日益緊湊的空間內(nèi)為其它設(shè)備留出更多寶貴的空間以便增加系統(tǒng)功能，系統(tǒng)工程師也需要一種快捷、簡單而且不需要太多電源設(shè)計工程師或資源的方案。此外，人們也期望有一種設(shè)計更加簡潔明了能滿足各種特定應(yīng)用需要的電源解決方案。 IR公司的iPOWIRTM Technology系列產(chǎn)品可以大大簡化高密度、高效、緊湊的點式負載電源的設(shè)計，而且可以大大縮短設(shè)計和上市時間。iPOWIR Technology系列產(chǎn)品
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“單正向”柵驅(qū)動IGBT簡化驅(qū)動電路
- 目前，為了防止高dV/dt應(yīng)用于橋式電路中的IGBT時產(chǎn)生瞬時集電極電流，設(shè)計人員一般會設(shè)計柵特性是需要負偏置柵驅(qū)動的IGBT。然而提供負偏置增加了電路的復雜性，也很難使用高壓集成電路（HVIC）柵驅(qū)動器，因為這些IC是專為接地操作而設(shè)計──與控制電路相同。因此，研發(fā)有高dV/dt能力的IGBT以用于“單正向”柵驅(qū)動器便最為理想了。這樣的器件已經(jīng)開發(fā)出來了。器件與負偏置柵驅(qū)動IGBT進行性能表現(xiàn)的比較測試，在高dV/dt條件下得出優(yōu)越的測試結(jié)果。 為了理解dV/dt感生開通現(xiàn)象，我們必須考慮跟
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