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          體硅 文章 最新資訊

          基于SOI和體硅的FinFET對比研究

          • 隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)外觀的發(fā)展,一些制造商正在考慮從平面CMOS晶體管向三維(3D)FinFET器件結(jié)構(gòu)的過渡。相對于平面晶體管,F(xiàn)inFET元件提供更好的渠道控制,因此,降低短通道效應(yīng)。當(dāng)平面晶體管的柵極在溝道之上,F(xiàn)inFET的柵極環(huán)繞溝道,從雙向提供靜電控制。
          • 關(guān)鍵字: SOI  體硅  FinFET  
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          體硅介紹

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