　　英飛凌文章最新資訊

DRAM售價(jià)下降英飛凌Q1將虧損1.477億美元

歐洲芯片廠商英飛凌表示，DRAM內(nèi)存平均銷(xiāo)售價(jià)格的下降影響了該公司2006財(cái)年第一季度的財(cái)報(bào)結(jié)果。據(jù)reed-electronics.com網(wǎng)站報(bào)道，英飛凌截止到去年12月份的2006財(cái)年第一季度的銷(xiāo)售收入是大約20億美元（16.7億歐元），利息和稅項(xiàng)之前的利潤(rùn)為虧損1.477億美元（1.22億歐元）。英飛凌的凈虧損為2.216億美元（1
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英飛凌與中芯將合作協(xié)議擴(kuò)展至90納米

英飛凌科技股份有限公司和中芯國(guó)際集成電路制造有限公司近日共同宣布，雙方已經(jīng)簽署合作協(xié)議，進(jìn)一步擴(kuò)展在標(biāo)準(zhǔn)記憶芯片（DRAM）產(chǎn)品生產(chǎn)領(lǐng)域中的現(xiàn)有合作，開(kāi)始90納米標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品合作生產(chǎn)。根據(jù)新協(xié)議的內(nèi)容，英飛凌將把自己最尖端的90納米DRAM溝槽技術(shù)和300毫米產(chǎn)品生產(chǎn)技術(shù)轉(zhuǎn)讓于中芯國(guó)際，并可以在未來(lái)期間靈活進(jìn)行其70納米技術(shù)的進(jìn)一步轉(zhuǎn)讓。因此，中芯國(guó)際將為英飛凌獨(dú)家生產(chǎn)屬于此技術(shù)范圍之內(nèi)的產(chǎn)品。預(yù)計(jì)在2006年中期完成產(chǎn)品的最終驗(yàn)證之后，中芯國(guó)際將開(kāi)始將其目前用于英飛凌110納米D
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英飛凌推出全新32位微控制器系列

英飛凌科技股份公司實(shí)現(xiàn)了可以提高工業(yè)驅(qū)動(dòng)器的能效和性能的高效電機(jī)控制理念。如果這些產(chǎn)品得到廣泛使用，電控驅(qū)動(dòng)器有望將現(xiàn)今的全球耗電量削減20%。英飛凌今日宣布推出基于TriCore(tm)架構(gòu)的全新TC116x系列32位微處理器的兩款樣品。除了高性能66MHz CPU外，全新的TC1161和TC1162微處理器還集成了1M的嵌入式閃存和完整外設(shè)集,并采取了低成本的封裝形式.與微控制器、DSP和PWM ASIC相互分離的傳統(tǒng)解決方案相比，英飛凌的高度集成微控制器可以將系統(tǒng)級(jí)成本降低40
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英飛凌不再投資90納米工藝芯片廠

英飛凌董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart近日證實(shí)，該公司將不再投資90納米工藝芯片廠，而是轉(zhuǎn)向輕晶圓廠 (fab-lite)策略。Ziebart表示，他懷疑會(huì)有多少公司能夠經(jīng)營(yíng)自己的65納米、300mm晶圓廠。　　Ziebart提到了英特爾)和德州儀器，但他認(rèn)為，即使還有其它公司擁有足夠的需求使其有理由投入40-50億美元興建65納米工廠，但市場(chǎng)也是寥寥無(wú)幾。Ziebart明確地表示，英飛凌計(jì)劃繼續(xù)經(jīng)營(yíng)在德國(guó)、法國(guó)和馬來(lái)西亞的現(xiàn)有工廠，并認(rèn)為這些工廠的技術(shù)
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英飛凌日立推出高性能硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器

英飛凌科技股份公司近日宣布推出一款先進(jìn)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)有限公司共同開(kāi)發(fā)，是適用于下一代硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的高集成控制器芯片開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)里程碑。 “第一種采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品，以滿(mǎn)足硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器市場(chǎng)不斷增長(zhǎng)的需求，”英飛凌管理董事會(huì)成員兼汽車(chē)與工業(yè)電子事業(yè)部負(fù)責(zé)人Peter Bauer指出，“我們對(duì)市場(chǎng)的承諾和立足點(diǎn)基于廣泛的專(zhuān)利組合（IP
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英飛凌日立開(kāi)發(fā)90納米硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器

英飛凌科技股份公司宣布推出一款先進(jìn)的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器讀取信道內(nèi)核，這是第一種采用該公司90納米工藝生產(chǎn)的集成電路。該產(chǎn)品由英飛凌和日立環(huán)球存儲(chǔ)技術(shù)有限公司共同開(kāi)發(fā)，是適用于下一代硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的高集成控制器芯片開(kāi)發(fā)過(guò)程中的一個(gè)里程碑。英飛凌副總裁兼專(zhuān)用集成電路和設(shè)計(jì)解決方案事業(yè)部（ADS）總經(jīng)理Sandro Cerato說(shuō)：“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核，使硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器行業(yè)能夠滿(mǎn)足下一代產(chǎn)品要求
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英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO非板上釘釘

德國(guó)芯片廠商英飛凌總裁和首席執(zhí)行官日前在接受德國(guó)媒體采訪時(shí)表示，英飛凌內(nèi)存業(yè)務(wù)分拆上市還不是板上釘釘?shù)氖虑椤Ｓ捎谶€有一些問(wèn)題，公司并未作出正式?jīng)Q定。此外，英飛凌也還有別的選擇。　　英飛凌首席執(zhí)行官Wolfgang Ziebart日前在接受德國(guó)報(bào)紙《Suddeutschen Zeitung》時(shí)表示，到目前為止，雖然還沒(méi)有決定，但將內(nèi)存業(yè)務(wù)IPO似乎是最有吸引力的方案。　　Ziebart說(shuō)，在內(nèi)存業(yè)務(wù)上和其他公司合作還是有可
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英飛凌DRAM分拆上市專(zhuān)注邏輯業(yè)務(wù)

英飛凌證實(shí)，它將在2006年7月以前把存儲(chǔ)業(yè)務(wù)分拆出來(lái)(spin out)，然后把這項(xiàng)業(yè)務(wù)上市(IPO)。該公司將把重點(diǎn)放在邏輯部門(mén)，繼續(xù)面向汽車(chē)、工業(yè)電子和通訊領(lǐng)域。英飛凌把這些舉措稱(chēng)為“戰(zhàn)略調(diào)整(strategic realignment)”，稱(chēng)計(jì)劃把這兩個(gè)部門(mén)拆開(kāi)，是因?yàn)樗鼈儭鞍l(fā)展方向不同”。　　“采取這項(xiàng)措施有兩個(gè)主要原因。一是內(nèi)存和邏輯產(chǎn)品的工藝與商業(yè)模式沿著不同的方向發(fā)展。二是我們可以改善這兩個(gè)部門(mén)的增長(zhǎng)情況
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英飛凌便攜設(shè)備電路功耗面積降半

英飛凌科技股份公司近日推出高性能、低功耗調(diào)諧器集成電路TUA6041和TUA6045，它們是專(zhuān)門(mén)針對(duì)筆記本電腦、U盤(pán)和PDA等便攜式設(shè)備而研制的。這兩款集成電路是業(yè)界首款工作電壓低至3伏的單轉(zhuǎn)換調(diào)諧器，其功耗和散熱量?jī)H為現(xiàn)有調(diào)諧器的一半。為了滿(mǎn)足便攜式終端設(shè)備對(duì)空間日益苛刻的要求，TUA6041 和TUA6045將RF（射頻）和IF（中頻）功能集成在一顆芯片上，從而提高了系統(tǒng)的可靠性，同時(shí)將調(diào)諧器集成電路的面積降低一半左右（達(dá)到49平方毫米）。英飛凌全新的TUA6041和TUA6045將于20
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英飛凌將UMTS手機(jī)設(shè)計(jì)期縮30%

在香港舉行的2005年度3G世界大會(huì)與展會(huì)（3G World Congress & Exhibition 2005）上，英飛凌科技公司（FSE/NYSE: IFX）宣布，其最新推出的多媒體手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)開(kāi)始供應(yīng)。通過(guò)英飛凌MP-EU平臺(tái)，手機(jī)制造商能夠加速新一代UMTS電話的推出，使開(kāi)發(fā)周期由目前平均14個(gè)月的基礎(chǔ)上縮短30%。MP-EU是業(yè)內(nèi)集成度最高的平臺(tái)，支持UMTS、 EDGE和GSM/GPRS等蜂窩標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品的智能
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英飛凌成立子公司獨(dú)立內(nèi)存部門(mén)

德國(guó)Infineon Technologies AG當(dāng)?shù)貢r(shí)間17日，召開(kāi)了公司的董事會(huì)，會(huì)后公司承認(rèn)了事業(yè)的重組計(jì)劃。　　根據(jù)新的重組計(jì)劃，公司決定將邏輯核心制造部門(mén)與內(nèi)存芯片制造部門(mén)分開(kāi)。按照要求記憶體制造部門(mén)將在2006年7月1日前作為一個(gè)獨(dú)立的法人個(gè)體與公司分開(kāi)，成立為單獨(dú)的子公司。　　公司表示，分離的理由是因?yàn)閮刹块T(mén)在商業(yè)處理和收益構(gòu)造方面有著不同的方向，分離后不論是增長(zhǎng)力還是公司收益都會(huì)提高。目前有關(guān)
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英飛凌將UMTS手機(jī)設(shè)計(jì)周期縮短30%

在香港舉行的2005年度3G世界大會(huì)與展會(huì)（3G World Congress & Exhibition 2005）上，英飛凌科技公司（FSE/NYSE: IFX）宣布，其最新推出的多媒體手機(jī)參考設(shè)計(jì)平臺(tái)開(kāi)始供應(yīng)。通過(guò)英飛凌MP-EU平臺(tái)，手機(jī)制造商能夠加速新一代UMTS電話的推出，使開(kāi)發(fā)周期由目前平均14個(gè)月的基礎(chǔ)上縮短30%。MP-EU是業(yè)內(nèi)集成度最高的平臺(tái)，支持UMTS、 EDGE和GSM/GPRS等蜂窩標(biāo)準(zhǔn)。該產(chǎn)品的智能
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英飛凌無(wú)線控制解決方案

　　無(wú)線控制已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ钪性絹?lái)越不可缺少的一環(huán)。從日常的遙控門(mén)鎖、遙控窗簾到汽車(chē)防盜器、輪胎壓力監(jiān)測(cè)系統(tǒng)等等，無(wú)線控制設(shè)備因其高性?xún)r(jià)比和適用性成為具有廣闊應(yīng)用前景的解決方案。　　英飛凌無(wú)線芯片為您提供具有卓越性能的低成本RF 解決方案，而且只需極少的外圍元件。這些無(wú)線芯片在很多常用的頻段上為您提供更高的輸出功率和接收靈敏度，是無(wú)線控制、汽車(chē)防盜系統(tǒng)和家庭自動(dòng)化系統(tǒng)的理想選擇。這些無(wú)線芯片集成度很高，只需很少的外圍元件；同時(shí)也具有極低的功耗，可以大幅延長(zhǎng)電池壽命。　　英飛凌無(wú)
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英飛凌推出首款DDR2 FB-DIMM速率高達(dá)4.8Gbps

　　日前，英飛凌科技(Infineon Technologies)公司宣布開(kāi)始提供業(yè)界僅有的雙倍數(shù)據(jù)率2全緩沖雙列直插存儲(chǔ)器模塊(DDR2 FB-DIMM)樣片，所有的關(guān)鍵元件都由英飛凌自行設(shè)計(jì)和制造。新款FB-DIMM密度在512MB至4GB，基于英飛凌提供的先進(jìn)存儲(chǔ)器緩存(AMB)芯片、DDR2 DRAM芯片和專(zhuān)有散熱器。　　由于可與DDR2 DRAM高速鏈接直接接口，AMB復(fù)雜邏輯芯片能夠提供4.8Gbps的數(shù)據(jù)速率，而第一代DDR2
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英飛凌拓展服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品組合推出2GB DIMM

在舊金山召開(kāi)的英特爾開(kāi)發(fā)商論壇（IDF）上，全球內(nèi)存產(chǎn)品供應(yīng)商英飛凌科技公司宣布，該公司正在推出容量為512MB、1GB與2GB的DDR2 VLP-DIMM （小型內(nèi)存模塊）樣品。英飛凌 VLP-DIMM的高度只有18.3毫米，比常用于服務(wù)器的1U 寄存式DIMM的高度低40%，專(zhuān)門(mén)面向高容量刀片式服務(wù)器應(yīng)用。更小的外形將空間要求降低了一半以上，改善了空氣流通，為刀片式服務(wù)器中其他額外功能或更多的內(nèi)存模塊創(chuàng)造了空間。為了在保持小外形的同時(shí)，將內(nèi)存容量提升超過(guò)1GB，英飛凌運(yùn)用了基于雙晶片的1
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