(emi) 文章 最新資訊
ESD/EMI/EMC電路設(shè)計(jì)技巧 ——電磁干擾的屏蔽方法
- 電磁兼容是指“一種器件、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時不會對此環(huán)境中任何其他設(shè)備產(chǎn)生強(qiáng)烈電磁干擾?！睂τ跓o線收發(fā)設(shè)備來說，采用非連續(xù)頻譜可部分實(shí)現(xiàn) EMC 性能，但是很多有關(guān)的例子也表明 EMC 并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測試設(shè)備之間、打印機(jī)和臺式電腦之間以及蜂窩電話和醫(yī)療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱為電磁干擾(EMI)。 1、EMC 問題來源 所有電器和電子設(shè)備工作時都會有間歇或連續(xù)性電壓電流變化
- 關(guān)鍵字： ESD EMI EMC
【E課堂】濾波器選擇需注意的十個問題
- 近期接觸幾位技術(shù)工程師朋友在選用濾波器，發(fā)現(xiàn)了不少有意思的問題，才發(fā)現(xiàn)波平浪靜處水最險。于是下文就為大家介紹濾波器選擇時需要注意的問題。 1、如果未經(jīng)過對儀器的EMI、EMS指標(biāo)測試就選定了濾波器，基本上屬于“盲人騎瞎馬、夜半臨深池”的主兒; 2、如果機(jī)器上選擇的是一個市面上買來的通用濾波器，這個濾波器基本上是可以不加的; 3、濾波器8分定制、2分通用才算比較靠譜?！ ∠麓私Y(jié)論的原因是因?yàn)樽罱龅降暮脦灼鹗虑?，都加了濾波器，但傳導(dǎo)就是不過，最后還是根據(jù)測試結(jié)果給設(shè)計(jì)了個濾波器樣品，一裝上ok才算
- 關(guān)鍵字： 濾波器 EMI
EMI濾波器設(shè)計(jì)中干擾特性和阻抗特性
- 根據(jù)多年的工程經(jīng)驗(yàn)，大家普遍認(rèn)為電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)中最重要的也是最難解決的兩個項(xiàng)目就是傳導(dǎo)發(fā)射和輻射發(fā)射。為了滿足傳導(dǎo)發(fā)射限制的要求，通常使用電磁干擾(EMI)濾波器來抑制電子產(chǎn)品產(chǎn)生的傳導(dǎo)噪聲。但是怎么選擇一個現(xiàn)有的濾波器或者設(shè)計(jì)一個能滿足需要的濾波器?工程師表現(xiàn)得很盲目，只有憑借經(jīng)驗(yàn)作嘗試。首先根據(jù)經(jīng)驗(yàn)使用一個濾波器，如果不能滿足要求再重新修改設(shè)計(jì)或者換另一個新的濾波器。因此，要找到一個合適的EMI濾波器就成為一個費(fèi)時且高成本的任務(wù)。 電子系統(tǒng)產(chǎn)生的干擾特性 解決問題首先要了解電子系統(tǒng)產(chǎn)生的總干擾
- 關(guān)鍵字： EMI 濾波器
怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。 二、開關(guān)管MOSFET的功耗分析 MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動
- 關(guān)鍵字： MOSFET EMI
尋找EMC對策，關(guān)鍵在于實(shí)際產(chǎn)品與理論相結(jié)合
- 現(xiàn)在，受到EMC(電磁兼容性)問題困擾的技術(shù)人員越來越多。這是因?yàn)殡S著產(chǎn)品向多功能化、高功能化和高速化發(fā)展，EMC對策的難度也與日俱增。車載電子產(chǎn)品稱得上是一個典型的代表。對此，日本Qualtec可靠性測試中心所長前野剛指出：“只要掌握了訣竅，就能找到EMC解決方法。”圍繞EMC對策當(dāng)前的課題和對策的重點(diǎn)，前野所長接受了記者采訪。 ——聽說以車載電子產(chǎn)品為代表，對于最近的電子產(chǎn)品，很多電路設(shè)計(jì)人員都在為EMC對策犯愁。首先請您用外行也能理解的語言，
- 關(guān)鍵字： EMC EMI
注意 SEPIC 耦合電感回路電流 —— 第 1 部分
- 在不要求主級電路和次級電路之間電氣隔離且輸入電壓高于或者低于輸出電壓時，SEPIC 是一種非常有用的拓?fù)洹Ｔ谝蠖搪冯娐繁Ｗo(hù)時，我們可以使用它來代替升壓轉(zhuǎn)換器。SEPIC 轉(zhuǎn)換器的特點(diǎn)是單開關(guān)工作和連續(xù)輸入電流，從而帶來較低的電磁干擾 (EMI)。這種拓?fù)?如圖 1 所示)可使用兩個單獨(dú)的電感(或者由于電感的電壓波形類似)，因此還可以使用一個耦合電感，如圖所示。因其體積和成本均小于兩個單獨(dú)的電感，耦合電感頗具吸引力。其存在的缺點(diǎn)是標(biāo)準(zhǔn)電感并非總是針對全部可能的應(yīng)用進(jìn)行優(yōu)化。
- 關(guān)鍵字： SEPIC EMI
電容感測：你應(yīng)該選擇哪個架構(gòu)？
- 電容感測在很多應(yīng)用中大展拳腳，從接近度檢測和手勢識別，到液面感測。無論是哪種應(yīng)用，電容感測的決定性因素都是根據(jù)一個特定的基準(zhǔn)來感測傳感器電容值變化的能力。根據(jù)特定應(yīng)用和系統(tǒng)要求的不同，你也許需要不同的方法來測量這個變化。在這篇博文章，我將介紹2個特定的架構(gòu)類型—開關(guān)電容器電路和電感器-電容器LC諧振槽路—這是當(dāng)前一種用于電容感測的電路?！ ￠_關(guān)電容器電路 圖1顯示的是針對電容感測的經(jīng)簡化電路，它以電荷轉(zhuǎn)移為基礎(chǔ);電路中的開關(guān)執(zhí)行采樣保持運(yùn)行。在采樣之間，傳感器電感器上的電荷的變化會導(dǎo)致輸出電壓的變化
- 關(guān)鍵字： 電容 EMI
PowerLab 筆記：如何避免傳導(dǎo) EMI 問題
- 這里，我們先著重討論當(dāng)寄生電容直接耦合到電源輸入電線時會發(fā)生的情況?！ ?.只需幾fF的雜散電容就會導(dǎo)致EMI掃描失敗。從本質(zhì)上講，開關(guān)電源具有提供高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。寄生電容與高 dV/dt 的混合會產(chǎn)生 EMI 問題。在寄生電容的另一端連接至電源輸入端時，會有少量電流直接泵送至電源線。 2.查看電源中的寄生電容。我們都記得物理課上講過，兩個導(dǎo)體之間的電容與導(dǎo)體表面積成正比，與二者之間的距離成反比。查看電路中的每個節(jié)點(diǎn)，并特別注意具有高 dV/dt 的節(jié)點(diǎn)。想想電路布局中該節(jié)點(diǎn)的表面積是多少，
- 關(guān)鍵字： EMI
手把手硬件電路詳細(xì)設(shè)計(jì)過程
- 獻(xiàn)給那些剛開始或即將開始設(shè)計(jì)硬件電路的人。時光飛逝，離俺最初畫第一塊電路已有3年。剛剛開始接觸電路板的時候，與你一樣，俺充滿了疑惑同時又帶著些興奮。在網(wǎng)上許多關(guān)于硬件電路的經(jīng)驗(yàn)、知識讓人目不暇接。像信號完整性，EMI，PS設(shè)計(jì)準(zhǔn)會把你搞暈。別急，一切要慢慢來。 1)總體思路。設(shè)計(jì)硬件電路，大的框架和架構(gòu)要搞清楚，但要做到這一點(diǎn)還真不容易。有些大框架也許自己的老板、老師已經(jīng)想好，自己只是把思路具體實(shí)現(xiàn);但也有些要自己設(shè)計(jì)框架的，那就要搞清楚要實(shí)現(xiàn)什么功能，然后找找有否能實(shí)現(xiàn)同樣或相似功能的參考電路
- 關(guān)鍵字： EMI BOM
如何降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應(yīng)用，分析了MOSFET損耗特點(diǎn)，提出了優(yōu)化方法;并且闡述了優(yōu)化方法與EMI之間的關(guān)系。 關(guān)鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴(yán)重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗
- 關(guān)鍵字： MOSFET EMI
GaN技術(shù)和潛在的EMI影響
- 1月出席DesignCon 2015時，我有機(jī)會聽到一個由Efficient Power Conversion 公司CEO Alex Lidow主講的有趣專題演講，談到以氮化鎵(GaN)技術(shù)進(jìn)行高功率開關(guān)組件(Switching Device)的研發(fā)。我也有幸遇到“電源完整性 --在電子系統(tǒng)測量、優(yōu)化和故障排除電源相關(guān)參數(shù)(Power Integrity - Measuring, Optimizing, and Troubleshooting Power Related Parameter
- 關(guān)鍵字： GaN EMI
8種經(jīng)典汽車行駛行駛記錄儀方案設(shè)計(jì)，軟硬件協(xié)同
- 汽車行駛記錄儀，俗稱汽車黑匣子，是對車輛行駛速度、時間、里程以及有關(guān)車輛行駛的其他狀態(tài)信息進(jìn)行記錄、存儲并可通過接口實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)輸出的數(shù)字式電子記錄裝置。開車時邊走邊錄像，同時把時間、速度、所在位置都記錄在錄像里，相當(dāng)“黑匣子”。 基于MCU的無線行駛記錄儀硬軟件設(shè)計(jì) 本文在實(shí)現(xiàn)無線行駛記錄儀無線通信方案時，選用基于Wi‐Fi通信模塊組成WLAN網(wǎng)絡(luò)實(shí)現(xiàn)記錄儀的無線通信。無線行駛記錄記錄儀可用于所有類型車輛，特別適用于企事業(yè)單位，如：擁有大型車隊(duì)的物流公司、場站、機(jī)場、
- 關(guān)鍵字： SP2338 EMI
(emi)介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條(emi)!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(emi)的理解，并與今后在此搜索(emi)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(emi)的理解，并與今后在此搜索(emi)的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
(emi)電路
(emi)相關(guān)帖子
(emi)資料下載
(emi)專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473