恩智浦半導體最新超耐用系列XR LDMOS射頻功率晶體管，專用于最惡劣的工程環(huán)境。XR系列像釘子一樣堅固，可承受工業(yè)激光、金屬蝕刻和混凝土鉆孔等惡劣應用環(huán)境。憑借恩智浦業(yè)界領先的LDMOS技術(shù)，XR系列將LDMOS擴展到了目前為數(shù)不多的、仍在使用VDMOS和雙極晶體管的某些領域。
突發(fā)和嚴重的負載擾動在某些射頻應用場合極其普遍。射頻功率晶體管應能處理這些擾動，并在多年的使用中不失效或老化。恩智浦在實驗室環(huán)境下通過引入負載端失配，將失配程度用電壓駐波比（VSWR）表示，重現(xiàn)了這些負載擾動。多數(shù)基站和廣播應用需要堅固耐用的射頻功率晶體管，要求能在所有相位承受10：1的駐波比。超耐用的BLF578XR可輕易承受125：1的駐波比重復測試--這是測試單元目前測得的最高值。這對于某些ISM應用非常關(guān)鍵--通常這些場合要求射頻功率晶體管能承受超過100：1的駐波比測試。
新款BLF578XR是恩智浦普及型BLF578的超耐用版本，而BLF578則是廣播和ISM等眾多應用中射頻功率晶體管的主力軍。在多數(shù)應用場合，BLF578XR可以通過簡易插裝來替代BLF578。
技術(shù)特點
BLF578XR采用恩智浦最先進的LDMOS技術(shù)制造，專為需要極堅固耐用性的應用場合而設計。
頻率范圍： 0-500MHz
增益： 24dB（225MHz）
效率： 70%（225MHz）
VSWR： 1251（1200W所有相位）
峰值輸出功率： 1400W （脈沖）
熱增強： 0.14KW
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