而STTRAM技術(shù)則基于電子自旋理論，利用改變自旋偏振電流的方法改變磁場(chǎng)方向，以此達(dá)到記錄數(shù)據(jù)的目地。STTRAM技術(shù)在省電性能方面比PCRAM相變內(nèi)存技術(shù)更為優(yōu)越，不過目前這種技術(shù)每個(gè)存儲(chǔ)單元只能儲(chǔ)存單個(gè)bit，如果能夠突破這種限制的話，那么預(yù)計(jì)未來十年內(nèi)很有可能成為磁盤式硬盤技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。

　　文中還指出:“令人驚奇的是，我們的研究表明，即便到2020年，磁盤式硬盤仍將是每TB價(jià)格最低的一種存儲(chǔ)解決方案。另外，我們還發(fā)現(xiàn)業(yè)界投資最多的技術(shù)項(xiàng)目未必是發(fā)展?jié)摿ψ畲蟮募夹g(shù)，相反，這些技術(shù)公司只會(huì)在自己最擅長(zhǎng)的技術(shù)上進(jìn)行大量投資。”

　　文章出自希捷前CTO之手，再聯(lián)想到希捷在發(fā)展閃存式SSD硬盤方面的步伐確實(shí)相當(dāng)緩慢，我想現(xiàn)在大家應(yīng)該不會(huì)為此而感到奇怪了吧。