圖1. SAFC材料發(fā)展規(guī)劃線路圖。

　　對半導體材料開發(fā)的定期監(jiān)督非常重要，它可確保材料供應商與當前及未來的行業(yè)需求保持步調一致。 對于介入點的選擇和時機，以及電子材料需求量，會受到許多可變因素的影響，我們經常分析外部指導方針，例如 ITRS 路線圖、設備開發(fā)的趨勢和經濟情況、并結合與客戶合作的經驗對我們自身的研發(fā)計劃進行評估。 這樣，我們就能與半導體行業(yè)的材料要求保持同步，并在行業(yè)要求發(fā)生改變時，重新制定我們的材料發(fā)展規(guī)劃。

　　展望未來，除了其它趨勢以外，業(yè)內會繼續(xù)關注柵極應用的下一代 high-K 技術和電容器應用的 high-K 和 ultra high-K 介電技術，并繼續(xù)開發(fā)用于 DRAM 的金屬柵極和新型電極材料以及用于銅阻擋層和銅晶種的材料。 我們積極參與了用于相變存儲器 (PCM) 應用的材料的開發(fā)，現(xiàn)在正在對它們進行更加細致的評估，因為 PCM 很快就成為替代 NAND 閃存不二選擇。作為一家公司，SAFC Hitech 在開發(fā)用于高容量 PCM 應用的鍺銻碲 (GST) 先驅體上已經取得了重大進展。 PCM 是一種非易失性計算機存儲器，它實現(xiàn)了最大特征尺寸的進一步擴展，超過傳統(tǒng)的閃存可能達到的極限，從而提供更大的存儲容量和卓越的存儲性能。