其中，Vsat為Q1最低的期望發(fā)射極-集電極電壓，VBE2為Q2的基極-發(fā)射極電壓。

　　圖3顯示了3.3V輸入應(yīng)用之后的輸出電壓。由于-48V輸出跟蹤在大約兩倍調(diào)節(jié)電壓上，因此-24V輸出上升至穩(wěn)壓狀態(tài)。一旦處于穩(wěn)壓狀態(tài)時，-24V輸出就隨負載發(fā)生少許變化。

　　圖3 -24V和-48V電源的受控關(guān)斷

　　在所有負載狀態(tài)下，-48V輸出電壓變化低于±1.5%。較好的電壓交叉調(diào)節(jié)歸因于鉗位控制的充電泵工作特性。在-24V輸出端上引起誤差的最大原因是隨負載變化的二極管電壓降，以及Q2基極-發(fā)射極結(jié)的變化和控制器的內(nèi)部電壓基準。-24V輸出情況下輸出紋波電壓為50mVp-p，-48V輸出時紋波電壓為200mVp-p。1W負載的效率在72%時達到峰值。引起損耗的關(guān)鍵原因是內(nèi)部MOSFET的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。

　　圖4顯示了原型電路。整個SLIC電路占用了不到一平方英寸的電路板面積。該控制器采用6引腳、2×2mmQFN封裝。該設(shè)計有賴于一個標準的單繞組電感而非較大的定制變壓器或雙繞組電感，以實現(xiàn)較小的電路板占用面積。

　　圖4 電路占用了不到一平方英寸的電路板面積

　　這種方法成本很低。該設(shè)計的最大輸出功率受內(nèi)部FET的電流極限限制。使用一個更高的輸入電壓和大電感值降低了FET峰值電流，從而提高了可以實現(xiàn)的最大輸出功率。然而，對于較低的輸入電壓而言，該電路是一款實用且經(jīng)濟的解決方案。