小小的電源開(kāi)關(guān)可如何拯救世界(08-100)
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作者：Alfred Hesener 飛兆半導(dǎo)體公司
時(shí)間：2009-02-26
來(lái)源：電子產(chǎn)品世界
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絕緣柵極雙極型晶體管 (IGBT) 雖然包含了兩個(gè)元件而非一個(gè)，卻沒(méi)有因此而更復(fù)雜。
本文引用地址：http://yuyingmama.com.cn/article/91747.htm 
圖3 右邊的符號(hào)圖簡(jiǎn)單闡明了雙極型晶體管是如何被MOSFET所驅(qū)動(dòng)，左圖給出了采用硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)時(shí)該器件的垂直結(jié)構(gòu)
由于MOSFET的開(kāi)關(guān)頻率可以更高 (因此電感更小)，故那些需要相對(duì)較低電流和快速開(kāi)關(guān)工作或I-V線性特性的應(yīng)用產(chǎn)品通常都采用MOSFET來(lái)構(gòu)建，而那些功率較高的、并且需要更大增益和更大電流及中速開(kāi)關(guān)工作的應(yīng)用一般采用IGBT來(lái)構(gòu)建。IGBT的擊穿電壓也更容易提高，對(duì)于功率較高的系統(tǒng)，最常見(jiàn)的值為1200V、1700V和3500V，而這對(duì)MOSFET而言幾乎是不可能的，更遑論商業(yè)用了。
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