由此可見，傳統(tǒng)的雙極功率晶體管，經(jīng)過革新挖潛，能夠以新的面目出現(xiàn)，用來滿足新應(yīng)用的需求。由于Si雙極功率晶體管匹配性較好，并聯(lián)應(yīng)用可獲得更大峰值輸出，TAN500雙管并聯(lián)即可產(chǎn)生1000W的峰值功率。除Si雙極之外，GaAs雙極射頻功率晶體管同樣取得不少改進(jìn)，限于篇幅，在此從略。

　　MOS場效應(yīng)射頻功率晶體管

　　自70年代開始，Si的CMOS集成電路一直是CPU、DSP和存儲器的核心工藝，按摩爾定律不斷發(fā)展，依靠縮小幾何尺寸來提高性能價格比。相對來說，Si CMOS工藝應(yīng)用到高頻功率器件的困難較多，SiMOS場效應(yīng)晶體管需要大幾何尺寸，比增加功率和降低熱耗，從而使頻率特性不容易提高。早期的SiMOS場效應(yīng)功率晶體管沿著橫向擴(kuò)大幾何尺寸，稱為橫向擴(kuò)散MOS晶體管(LDMOS)，90年代出現(xiàn)沿著縱向布局的縱向擴(kuò)散MOS晶體管(VDMOS)，近年兩種不同設(shè)計的MOS高頻功率晶體管都取得碩果。

　　2008年飛思卡爾(Freescale)公司提供的MRF6系列針對L波段的雷達(dá)應(yīng)用，峰值功率330W，它的結(jié)構(gòu)如圖4a所示。例如MRF6V14300H的功率增益Gps、漏極效率nD和回波損耗IRL的頻率特性如圖3所示，工作特性如表2所示。

　　表2 MRF6V14300H SiMOS場效應(yīng)晶體管的工作特性

　　圖3 MRF6V14300H Si場效應(yīng)管的增益、效率和回波損耗特性