北京時(shí)間6月26日硅谷動(dòng)力從臺(tái)灣媒體處獲悉：日前業(yè)內(nèi)有消息傳出，為了進(jìn)一步削減成本同時(shí)更好地與三星電子以及東芝等領(lǐng)導(dǎo)廠商進(jìn)行競爭，現(xiàn)代半導(dǎo)體計(jì)劃于今年第三季度在其8英寸工廠采用57納米制程進(jìn)行NAND閃存生產(chǎn)。 

    來自現(xiàn)代下游客戶的消息稱，現(xiàn)代計(jì)劃將NAND閃存生產(chǎn)所采用的60納米制造工藝升級為57納米制造工藝，與此同時(shí)，為了進(jìn)一步削減成本，現(xiàn)代將繼續(xù)在其8英寸工廠進(jìn)行NAND閃存生產(chǎn)。據(jù)了解，通過此次技術(shù)升級，現(xiàn)代NAND閃存生產(chǎn)成本預(yù)計(jì)將削減20%。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)iSuppli公布的研究數(shù)據(jù)顯示，現(xiàn)代目前在全球NAND閃存市場的占有率達(dá)到18.5%。


    與此同時(shí)，現(xiàn)代還將在明年第一季度引入48納米生產(chǎn)工藝，屆時(shí)可能無法繼續(xù)使用8英寸晶圓工廠。有消息稱，東芝能夠通過56納米生產(chǎn)工藝很好地控制產(chǎn)量，但三星52納米NAND閃存生產(chǎn)仍遭遇“瓶頸”問題。 

    麥格理證券研究公司表示，現(xiàn)代60納米制程轉(zhuǎn)移速度低于預(yù)期，但由于該公司減少DRAM芯片產(chǎn)能，并將更多晶圓用于NAND閃存生產(chǎn)，產(chǎn)量因此得以提高。該公司同時(shí)預(yù)測，現(xiàn)代NAND位元增長率將在今年下半年有所加快，預(yù)計(jì)將達(dá)到78%。