現(xiàn)在LED晶片廠商在制作LED藍(lán)色芯片工藝大致分四種：

1.藍(lán)寶石襯底GaN基質(zhì)LED
這是大多數(shù)晶片廠商常用方式，盡管還在提高材料生長(zhǎng)和器件的制作水平，但藍(lán)寶石襯底不導(dǎo)電，導(dǎo)熱性能差、劃片困難，抗靜電力差，倒裝焊工藝復(fù)雜，并且橫向電阻大，高電流密度下工作電壓高，浪費(fèi)能耗。

2.碳化硅襯底GaN基質(zhì)LED
由于襯底導(dǎo)電且導(dǎo)熱，目前半導(dǎo)體照明芯片占優(yōu)勢(shì)，不過其價(jià)格太高，且劃片困難。

3.GaN襯底GaN基質(zhì)LED
這種工藝在外延材料質(zhì)量可以明顯提到，但價(jià)格存在太高，且器件加工困難。

4.硅片做GaN材料襯底
此工藝能使晶片具有良好導(dǎo)電性，晶體質(zhì)量高，尺寸大成本低，易加工。但GaN外延材料與硅襯底之間巨大的晶格失配和熱失配，因此硅襯底上難得器件質(zhì)量的GaN材料。