肖特基（Schottky）二極管是將金屬層沉積在N型硅的薄薄外延層上，利用金屬和半導(dǎo)體之間的接觸勢(shì)壘獲得單向?qū)щ娮饔?，相?dāng)于PN結(jié)。這個(gè)接觸面稱為“金屬半導(dǎo)體結(jié)”。肖特基二極管的全名應(yīng)為肖特基勢(shì)壘二極管（Schottky Barrier Diode，SBD）?，F(xiàn)有的大多數(shù)肖特基二極管都是用硅（51）半導(dǎo)體材料，新材料碳化硅（SiC）的SBD也已被應(yīng)用。

　　1）硅SBD的特點(diǎn)

　　正向壓降比PN結(jié)二極管低，約為后者的1/2～1/3，典型值為0.45～0.55V，新型低壓的可以低達(dá)0.32V；反向電壓較低，在數(shù)十伏以下的較多（最高200 V），適用于低電壓的電路中。

　　2）硅SBD的關(guān)斷速度

　　硅MD的關(guān)斷速度極快，屬于快恢復(fù)二極管，其整流作用僅取決于多數(shù)載流子的漂移現(xiàn)象，沒有多余的少數(shù)載流子，無存儲(chǔ)效應(yīng)，不存在正向和反向恢復(fù)現(xiàn)象，trr僅是勢(shì)壘電容的充、放電時(shí)間，故函小于相同額定的結(jié)型二極管，而且與反向di/dt無關(guān)。反向恢復(fù)時(shí)間trr約為10ns數(shù)量級(jí)。

　　3）硅SBD的缺點(diǎn)

　　硅SBD的缺點(diǎn)是反向漏電流比結(jié)型二極管大得多，結(jié)電容也較大。

　　4）碳化硅肖特基二極管

　　碳化硅肖特基二極管的最高反向電壓能達(dá)到2200V；已在市場(chǎng)上見到的有600V、1200V、1700V的產(chǎn)品，正向壓降約為1V。