討論在PFC中應(yīng)用的新型超級(jí)結(jié)MOSFET器件的特點(diǎn) 作者： 時(shí)間：2013-02-25 來源：網(wǎng)絡(luò) 加入技術(shù)交流群 掃碼加入和技術(shù)大咖面對(duì)面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 的芯片尺寸和更高效率的性能。具有極快開關(guān)速度的超級(jí)結(jié)MOSFET是實(shí)現(xiàn)較高效率的基本選擇，但相比先前數(shù)代產(chǎn)品，難以控制。新型超級(jí)結(jié)MOSFET，即SuperFET II MOSFET能夠優(yōu)化開關(guān)性能，在啟動(dòng)或過載狀況最大化使用了開關(guān)性能等大電流運(yùn)行中減少柵極振蕩、EMI噪聲并改進(jìn)穩(wěn)定工作。 電荷放大器相關(guān)文章:電荷放大器原理 電容傳感器相關(guān)文章:電容傳感器原理 lc振蕩電路相關(guān)文章:lc振蕩電路原理 上一頁 1 2 下一頁
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