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          白光LED長(zhǎng)壽大功率低耗電技術(shù)

          作者: 時(shí)間:2011-11-10 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          lm/W的發(fā)光效率。

          有關(guān)芯片整體的電界均等性,自從2、3年前出現(xiàn)梳子狀與網(wǎng)格狀(mesh)p型電極之后,采用這種方式的廠商不斷增加,而且電極也朝最佳化方向發(fā)展。

          有關(guān)flipchip封裝方式,由于發(fā)光層貼近封裝端極易排放熱量,加上發(fā)光層的光線放射到外部時(shí)無(wú)電極遮蔽的困擾,所以美國(guó)Lumileds與日本豐田合成已經(jīng)正式采用flipchip封裝方式,2005年開(kāi)始量產(chǎn)大型的松下電器/松下電工與東芝也陸續(xù)跟進(jìn),以往采用wirebonding封裝方式的日亞化學(xué),2004年發(fā)表的50lm/W客戶專用品,也是采用flipchip封裝方式。

          有關(guān)芯片表面加工,它可以防止光線從芯片內(nèi)部朝芯片外部放射時(shí)在界面發(fā)生反射,根據(jù)日本某廠商表示flipchip封裝時(shí),若在光線取出部位藍(lán)寶石基板上設(shè)置凹凸?fàn)罱Y(jié)構(gòu),芯片外部的取出光束可以提高30%。

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