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          AVR熔絲位(Fuse)基礎(chǔ)知識(shí)

          作者: 時(shí)間:2013-04-10 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          應(yīng)用舉例:

          比如我們想使用片內(nèi)的RC振蕩(即不需要接晶振),可以選擇選擇下面三者之一:

          Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;

          [CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;

          [CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]

          如圖:內(nèi)部1M晶振,默認(rèn)情況典型設(shè)置。(兩個(gè)圖分別為上下兩部分,沒(méi)有顯示的部分均為不選中狀態(tài)。)

          4.jpg

          下圖顯示的是選擇內(nèi)部晶振,1 Mhz RC

          比如我們想使用外部7.3728M晶振,可以選擇選擇下面三者之一:

          Ext. Crystal/Resonator High Freq.;

          Start-up time: 258 CK + 4 ms;

          [CKSEL=1110 SUT=00] 或后面與Ext. Crystal/Resonator High Freq.;.... 有關(guān)的選擇。

          如下兩圖:7.3728M晶振典型融絲位(及本站的開(kāi)發(fā)板使用時(shí)候的典型設(shè)置)

          6.jpg

          7.jpg


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