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          半導(dǎo)體BJT

          作者: 時間:2011-07-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          BJT的結(jié)構(gòu)

          BJT是雙極結(jié)型晶體管Bipolar Junction Transistor的簡寫,又稱為半導(dǎo)體三極管。它有三個電極,常見的BJT外形如圖1所示,圖2是一種BJT的實物圖片。

                共基直流電流放大系數(shù)為 。

                3.特征頻率fT:當(dāng)考慮BJT的結(jié)電容影響時,BJT的電流放大系數(shù)b 隨工作頻率f 的升高而下降。當(dāng)b下降為1時所對應(yīng)的信號頻率為特征頻率fT。

                三、極限參數(shù)

                1.集電極最大允許電流ICM

                ICM是指BJT的參數(shù)變化不超過允許值時集電極允許的最大電流。

                2.集電極最大允許功率損耗PCM

                PCM表示集電結(jié)上允許損耗功率的最大值。超過此值就會使管子性能變壞或燒毀。

                PCM= iCvCE

                3.反向擊穿電壓

                ① V(BR)EBO

                V(BR)EBO是指集電極開路時發(fā)射極-基極間的反向擊穿電壓。

                ② V(BR)CBO

                V(BR)CBO是指發(fā)射極開路時集電極-基極間的反向擊穿電壓。

                ③ V(BR)CEO

                V(BR)CEO是指基極開路時集電極-發(fā)射極間的反向擊穿電壓。V(BR)CEO V(BR)CBO。

                各擊穿電壓大小之間有如下的關(guān)系:

                V(BR)CBO> V(BR)CES> V(BR)CER> V(BR)CEO



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