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          DS2433設計轉(zhuǎn)變?yōu)镈S24B33 4Kb 1-Wire EEPROM

          作者: 時間:2011-11-02 來源:網(wǎng)絡 收藏
          TD style="PADDING-RIGHT: 0px; PADDING-LEFT: 0px; PADDING-BOTTOM: 0px; MARGIN: 0px; PADDING-TOP: 0px">UNITSNOTES
          NCY
          At +25°C
          200k
          20, 21
          At +85°C
          50k
          注20:當TA升高時,有效的寫次數(shù)會降低。
          注21:未進行100%生產(chǎn)測試;由可靠性抽樣監(jiān)測保證。

          影響:+25°C時,至少是的4倍。未給出在+85°C時的使用壽命。
        1. 數(shù)據(jù)保持
          說明:該參數(shù)規(guī)定存儲器沒有重新寫入數(shù)據(jù)(刷新)時,能夠保持數(shù)據(jù)完整性的時間。通常情況下,數(shù)據(jù)保持時間遠遠大于所給定的最小值。

          摘自數(shù)據(jù)資料

          SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
          tDR
          Years

          沒有規(guī)定。

          摘自數(shù)據(jù)資料

          SYMBOLCONDITIONSMINTYPMAXUNITSNOTES
          tDR
          At +85°C
          40
          Years
          22, 23, 24
          注22:TA升高時,數(shù)據(jù)保持時間下降。
          注23:短時間內(nèi),100%高溫生產(chǎn)測試保證;該生產(chǎn)測試等效于數(shù)據(jù)資料中的工作溫度范圍,這些數(shù)據(jù)是在可靠性測試中確定的。
          注24:超出數(shù)據(jù)保持時間后,或許不能正常寫入。不建議長時間儲存在高溫下,+125°C下儲存10年或+85°C下儲存40年后,器件可能喪失寫能力。

          影響:滿足當前工業(yè)標準。



          1. ROM功能“Resume”
            說明:與許多新推出的1-Wire從器件一樣,DS24B33支持網(wǎng)絡功能命令Resume。一旦通過Match ROM、Search ROM或Overdrive Match ROM成功選中DS24B33,Resume命令即允許再次讀/寫相同器件,無需指定64位注冊碼。

            影響:對于存在多個從器件的網(wǎng)絡,Resume能夠減輕多次讀/寫同一器件的通信開銷,例如,隨機讀取存儲器或更新存儲器數(shù)據(jù)。DS24B33支持該命令,DS2433則不支持該命令,所以應用中可據(jù)此在電氣特性上區(qū)分這兩個部件。
          2. 1-Wire前端
            說明:前端是芯片內(nèi)部支持訪問器件資源(例如存儲器)通信協(xié)議的電路。前端決定了在嘈雜環(huán)境下通信波形的定時容差和1-Wire從器件的性能。

            影響:類似于多種新型1-Wire從器件,DS24B33前

          關鍵詞: DS2433 DS24B33 EEPROM

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