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          EEPW首頁(yè) > 模擬技術(shù) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > LTCC實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

          LTCC實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

          作者: 時(shí)間:2012-03-01 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          5,255); orphans: 2; widows: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">  該射頻接收前端為12層基板,基板尺寸為39 mm×20 mm×1.2 mm。內(nèi)部貼裝GaAs MMIC、CMOS控制電路12個(gè)和貼片電阻、電容、電感元件三十幾個(gè),包括LNA、衰減器、微波開(kāi)關(guān)、集成電感、電容、電阻等,含4個(gè)射頻端口以及控制端和電源端若干。采用多通道方案,通過(guò)兩個(gè)PIN單刀多擲開(kāi)關(guān)來(lái)實(shí)現(xiàn)通道濾波器組之間的切換。對(duì)連接PIN開(kāi)關(guān)的微帶線(xiàn)與帶狀線(xiàn)濾波器之間的過(guò)渡用金屬填孔孔徑大小進(jìn)行了優(yōu)化,以實(shí)現(xiàn)最小的過(guò)渡損耗。濾波器全部集成在基板之中,為了保證濾波器間的相互隔離,采用了帶狀線(xiàn)形式的濾波器進(jìn)行不同層間濾波器的隔離,最大限度減小對(duì)其他電路的影響。為了減小后級(jí)噪聲影響前級(jí)放大器采用高增益的LNA,該電路采用二次變頻技術(shù),將二中頻下變頻為100 MHz,與傳統(tǒng)的采用混合電路技術(shù)制作的同類(lèi)產(chǎn)品相比其體積縮小到原來(lái)的1/50。

            該系統(tǒng)的設(shè)計(jì)框如圖1,其封裝后實(shí)物照片如圖2所示。

            

          LTCC實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

            實(shí)測(cè)結(jié)果增益(Ga)大于60 dB,噪聲系數(shù)NF小于3 dB,如圖3所示。

            

          LTCC實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

            3結(jié)論

            本文開(kāi)發(fā)的高度集成的X波段射頻接收前端表明,技術(shù)在微波方面具有明顯的。隨著小型化、高性能電子產(chǎn)品快速發(fā)展以及LTCC技術(shù)的不斷進(jìn)步和成熟,LTCC技術(shù)在SIP領(lǐng)域的應(yīng)用必將具有廣泛的應(yīng)用前景。


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