芯片內(nèi)部主要包括邏輯電路、電壓檢測(cè)電路、整流器、充電泵、功率MOSFET。此外，還有防止靜電放電（ESD）的保護(hù)電路，過(guò)電壓保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、負(fù)載開(kāi)路及短路保護(hù)電路，對(duì)電感負(fù)載的保護(hù)電路，對(duì)功率MOSFET柵極進(jìn)行保護(hù)的電路。

BTS412B的主要技術(shù)參數(shù)為UBB>50V，連續(xù)輸出的負(fù)載電流IL=1.4A，最大峰值電流ILIMIT=25A，導(dǎo)通電阻RON=0.25Ω。

使用兩片BTS412B作高端開(kāi)關(guān)，另用兩只BUZ71L型50V、14A、40W的N溝道場(chǎng)效應(yīng)管作低端開(kāi)關(guān)，可構(gòu)成如圖4所示的H橋雙向直流電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。BUZ71L的導(dǎo)通電阻僅為0.1Ω。當(dāng)發(fā)生故障時(shí)，從ST端輸出的狀態(tài)信號(hào)就通過(guò)晶體管JE9013驅(qū)動(dòng)LED發(fā)光，作為報(bào)警指示。

圖4 H橋 雙 向 直 流 電 動(dòng) 機(jī) 驅(qū) 動(dòng) 電 路