舉例來說，瞬態(tài)電壓抑制（TVS）二極體和二極體陣列有較低的動態(tài)電阻，提供卓越的箝位元性能，并能保持非常低寄生封裝電容。圖4顯示矽方案的箝位元性能與MLV ESD保護(hù)技術(shù)的比較，以矽為基礎(chǔ)的解決方案的箝位元電壓更低。

　　圖4 矽電阻與壓敏電阻的箝位元性能比較

　　TVS二極體陣列提供多通道ESD保護(hù)解決方案（圖5），成為目前USB 3.0保護(hù)的最佳選擇。該類元件能吸收瞬態(tài)電流，并瀉放電流，同時透過雪崩或齊納二極體箝制電壓位準(zhǔn)。如圖6所示為USB 3.0靜電保護(hù)方案架構(gòu)圖。

　　圖5 保護(hù)USB 3.0電路的TVS二極體陣列示意圖

　　圖6　上為USB 3.0靜電保護(hù)方案架構(gòu)圖；

　　USB 3.0電路保護(hù)元件對維護(hù)資料完整性也非常重要，任何附加電容都可導(dǎo)致訊號失真，并降低訊號的可靠性。測試靜電抑制器的寄生電容對訊號完整性影響的主要方法是進(jìn)行眼圖測試，此測試須重復(fù)采樣數(shù)位訊號，并在示波器上顯示出眼圖，用來定義可接受的訊號品質(zhì)和依從性。