采用綜合學科研究法有效封裝MEMS加速儀（一） 作者： 時間：2013-11-19 來源：網(wǎng)絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 分析方法。我們采用了兩種方法來評估組裝和暴露給外部環(huán)境期間的芯片應力和斷裂風險。一種方法是常規(guī)應力分析，另一種是基于斷裂力學的分析。需要分析的階段包括外罩晶圓與感應單元基片晶圓的粘合、感應單元與引線架的連接、引線粘結(jié)、超模壓、回流焊接和熱循環(huán)。圖2 感應單元基片上的裂紋的SEM圖 上一頁 1 2 下一頁
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