伴隨人工智能基礎設施投入的快速擴張，存儲器市場迎來結構性轉變。據(jù)韓國主流財經(jīng)媒體最新消息，存儲器行業(yè)兩大巨頭 —— Samsung Electronics（三星）與 SK hynix（SK 海力士）已通知客戶：2025 年第四季度合同或現(xiàn)貨價格將調高至約 30% 的幅度，涉及 DRAM 與 NAND Flash 產(chǎn)品。

消息指出，隨著云服務器、AI 模型訓練及推理需求的疊加，DRAM 與 NAND 的供需格局正在發(fā)生改變。多家國際電子與服務器廠商據(jù)稱在近日積極與三星、SK 海力士磋商“2-3 年期”中長期供貨協(xié)議，以鎖定未來資源、避免價格波動風險。

業(yè)內分析認為，本輪提價的邏輯主要包括三方面：其一，AI 服務器的大規(guī)模建設提升了對 HBM（高帶寬存儲器）及大容量 DRAM 的需求，使資源向高端內存傾斜；其二，傳統(tǒng) DRAM 與 NAND 產(chǎn)能的擴張受到制約，庫存緊俏已成常態(tài)；其三，客戶為了應對價格上行趨勢，提前進入采購與合同鎖定。

在 DRAM 市場方面，報道稱三星與 SK 海力士一線將針對普通 DDR4/DDR5 服務器等級 DRAM 上調幅度最高可達 30%。NAND Flash 方面，雖上調幅度較小，但也被預期有兩位數(shù)增長。部分客戶已經(jīng)在近期的合同談判中要求提前鎖定“優(yōu)先配額”，并與廠商達成多期供貨條款。

對于下游客戶而言，這意味著成本端可能出現(xiàn)上升壓力。整機制造商、服務器運營商與模塊廠商將更早介入庫存部署，以避免后續(xù)“價格跳躍”造成成本失控。與此同時，存儲器廠商則從產(chǎn)能競爭轉向定價策略與客戶鎖定關系的主動布局。

從中長期視角看，提價趨勢可能延伸至未來 12 至 24 個月。由于 DRAM 向高帶寬、高容量方向的能力轉移加劇，傳統(tǒng)規(guī)格的存儲器供應未必能及時跟進。在此背景下，率先簽訂長期協(xié)議并獲得優(yōu)配資源的客戶，將在未來的供給緊張期中占據(jù)優(yōu)勢。

在市場反響方面，提價消息已引起部分模組廠、分銷渠道及采購方的注意。據(jù)悉，部分客戶在收到廠商“即將漲價”的預告后，已啟動補庫行動，市場交易氣氛因此被提振。

總的來看，三星與 SK 海力士此輪價格動作既是對人工智能時代存儲需求爆發(fā)的回應，也是一種由“產(chǎn)能競爭”向“資源控制”轉型的策略信號。整個存儲器產(chǎn)業(yè)鏈的玩家需警覺：庫存布局與合同安排的節(jié)奏可能將成為未來供應鏈競爭的新維度。