發(fā)射極電阻與偏置穩(wěn)定（Emitter Resistance）

一、引言

在晶體管放大器設(shè)計中，穩(wěn)定的直流工作點（Q-point）對于保持信號線性放大至關(guān)重要。若晶體管的電流放大系數(shù)（β）或溫度變化較大，放大器的靜態(tài)電流（IC）將產(chǎn)生偏移，導(dǎo)致輸出波形削頂、失真甚至飽和。

為解決這一問題，工程上常在發(fā)射極（Emitter）支路串聯(lián)一個電阻——稱為**發(fā)射極電阻（Emitter Resistance, RE）**。該電阻通過提供自動負(fù)反饋（Automatic Negative Feedback）來穩(wěn)定放大器的偏置點與增益特性，是共射極放大器（Common Emitter Amplifier）中最關(guān)鍵的元件之一。

二、發(fā)射極電阻的穩(wěn)定原理

發(fā)射極電阻RE的核心作用是利用電壓反饋抑制集電極電流漂移。當(dāng)IC因β增加或溫度升高而上升時，發(fā)射極電流IE≈IC增加，導(dǎo)致發(fā)射極電壓VE上升。根據(jù)基-射極電壓關(guān)系：

VBE = VB - VE

當(dāng)VE升高時，VBE減小，從而降低IB與IC。這種反饋過程持續(xù)進行，直至電流穩(wěn)定于新的平衡點。該機制稱為**自穩(wěn)定偏置（Self-biasing）**。

三、發(fā)射極電阻在偏置網(wǎng)絡(luò)中的作用

放大器通常采用**電壓分壓偏置（Voltage Divider Bias）**結(jié)構(gòu)，通過兩個電阻R1與R2為基極提供穩(wěn)定的直流電壓VB。其關(guān)系為：

VB = VCC × (R2 / (R1 + R2))

靜態(tài)條件下，發(fā)射極電壓：

VE = IE × RE

而晶體管的導(dǎo)通條件為：

VBE ≈ 0.7V（對硅管）

因此，靜態(tài)電流IE可近似為：

IE = (VB - VBE) / RE

由此可見，RE越大，IE越穩(wěn)定，但增益會降低。

四、工作點（Q點）與負(fù)載線分析

放大器的Q點表示晶體管在靜態(tài)時的集電極電壓（VCE）與電流（IC）。其設(shè)計目標(biāo)是在負(fù)載線的中點，使輸出信號在不削頂?shù)臈l件下獲得最大擺幅。

負(fù)載線方程為：

VCE = VCC - IC × (RC + RE)

通過調(diào)節(jié)R1、R2、RC與RE，可以確定Q點的位置。

為了獲得穩(wěn)定的偏置，通常要求：
? 發(fā)射極壓降 VE ≈ 0.1 ~ 0.2 × VCC
? Q點位于 VCE ≈ 0.4 ~ 0.6 × VCC 處

如此可以在不同溫度與β變化下維持線性放大區(qū)（Active Region）。

五、小信號模型與增益推導(dǎo)

在小信號分析中，發(fā)射極電阻引入的負(fù)反饋會顯著影響電壓增益。其近似表達(dá)式為：

Av ≈ RC / (re + RE)

其中：
? RC —— 集電極負(fù)載電阻
? re —— 晶體管的內(nèi)部小信號發(fā)射極電阻，re ≈ 26mV / IE（在室溫下）
? RE —— 外部發(fā)射極電阻

若RE存在，則總發(fā)射極電阻為 re + RE。

若RE被電容完全旁路（AC短路），則交流信號僅受re限制，增益大幅提高：

Av ≈ RC / re

但此時穩(wěn)定性顯著下降。

六、旁路電容（Emitter Bypass Capacitor, CE）

旁路電容CE用于在交流信號路徑中“短路”發(fā)射極電阻RE，從而提升放大器的交流增益。對直流偏置而言，CE的阻抗極高，幾乎開路，因此不會影響Q點。

當(dāng)CE存在時：
? 對直流：RE保留，穩(wěn)定偏置；
? 對交流：RE被短路，增益上升。

旁路電容的取值影響放大器的低頻響應(yīng)：

fL = 1 / (2π × RE × CE)

若CE過小，低頻信號將無法完全旁路，導(dǎo)致低頻增益下降；若過大，則成本與體積增加。

七、部分旁路設(shè)計（Partial Bypass Design）

為在穩(wěn)定性與增益之間折中，可采用部分旁路結(jié)構(gòu)：在RE中串聯(lián)兩部分——RE1與RE2，僅對RE2并聯(lián)電容CE。這樣低頻信號仍受RE1反饋影響，維持線性；中高頻信號則通過CE獲得較高增益。

這種結(jié)構(gòu)常用于音頻放大器及對線性要求較高的測量放大器中。

八、溫度與β漂移抑制分析

晶體管特性隨溫度變化：
1. 飽和電流IS增大；
2. β增加；
3. VBE下降（約?2mV/°C）。

這些變化均會導(dǎo)致IC增加。加入RE后，IC上升引起VE上升，使VBE減小，自動抵消偏移。數(shù)學(xué)表達(dá)式為：

ΔIC ≈ (ΔVBE / (RE + re)) × β / (β + 1)

由此可見，RE 越大，ΔIC 越小，穩(wěn)定性越好。

九、實際設(shè)計實例

假設(shè)VCC = 12V，目標(biāo)IC = 2mA，VCE = 6V。

步驟如下：
1. 選取 VE ≈ 0.1 × VCC = 1.2V。
   則 RE = VE / IE ≈ 1.2V / 2mA = 600Ω。

2. 選取 RC = (VCC - VCE - VE) / IC = (12 - 6 - 1.2) / 2mA = 2.4kΩ。

3. 計算分壓網(wǎng)絡(luò)：VB = VE + 0.7 = 1.9V。
   若希望分壓電流為 IB 的10倍（β = 100，IB = 20μA），則分壓電流約為200μA。
   R2 = VB / 200μA = 9.5kΩ；R1 = (VCC - VB) / 200μA = 50.5kΩ。

4. 小信號參數(shù)：re ≈ 26mV / IE = 13Ω。
   - 無旁路時：Av = RC / (re + RE) = 2400 / 613 ≈ 3.9。
   - 全旁路時：Av = RC / re = 2400 / 13 ≈ 185。

結(jié)果顯示：旁路電容大幅提升增益，但穩(wěn)定性下降。

十、輸入與輸出阻抗分析

輸入阻抗（Rin）主要由β與RE決定：

Rin ≈ β × (re + RE)

RE越大，輸入阻抗越高；這對于級間匹配是有利的。

輸出阻抗（Rout）約等于RC與晶體管內(nèi)部輸出電阻ro的并聯(lián)：

Rout ≈ RC || ro

由于RE對集電極電路影響較小，因此Rout變化不大。

十一、頻率響應(yīng)特性

發(fā)射極電阻與旁路電容共同影響低頻截止特性。放大器的低頻響應(yīng)主要由CE決定：

fL ≈ 1 / (2π × RE × CE)

若CE取值較小，則低頻信號衰減明顯；為保持20Hz～20kHz音頻帶寬，通常設(shè)計CE≥47μF～470μF。

十二、設(shè)計權(quán)衡與優(yōu)化原則

? 增益與穩(wěn)定性：較大的RE提供更好的穩(wěn)定性但降低增益。
? 偏置電流：分壓電流一般為基極電流的5～10倍。
? 旁路電容：應(yīng)根據(jù)所需最低頻率確定，避免低頻衰減。
? 熱穩(wěn)定性：合理選擇RE可以將溫度漂移影響減小至原來的1/5甚至1/10。

十三、工程實踐建議

1. 設(shè)定 VE ≈ 0.1VCC，可使Q點在中間區(qū)域并增強熱穩(wěn)定性。
2. 采用多級放大時，每級應(yīng)保留至少部分發(fā)射極反饋，以防累積漂移。
3. 對高頻電路，應(yīng)使用低電感金屬膜電阻作為RE，以減少寄生效應(yīng)。
4. 對精密測量放大器，應(yīng)使用高穩(wěn)定金屬膜電阻和電解旁路電容。

十四、結(jié)論

發(fā)射極電阻在晶體管放大器設(shè)計中起到關(guān)鍵作用——它既能穩(wěn)定直流偏置，又能改善線性和熱特性。通過合理配置R1、R2、RC、RE以及旁路電容CE，可以在增益、穩(wěn)定性與頻率響應(yīng)之間實現(xiàn)最佳平衡。

在工程實踐中，設(shè)計者常根據(jù)應(yīng)用場景權(quán)衡以下目標(biāo)：
? 穩(wěn)定性優(yōu)先（如溫度變化環(huán)境）→ 較大RE、部分旁路
? 增益優(yōu)先（如音頻放大）→ 較小RE、全旁路

總之，發(fā)射極電阻是使放大器從“可工作”變?yōu)椤翱煽亍钡年P(guān)鍵設(shè)計要素。