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          MOSFET的驅(qū)動(dòng)技術(shù)及應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2018-09-04 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/201809/388426.htm

          其實(shí)上管Q1驅(qū)動(dòng)的供電在于 Cboot。

          看下圖,芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu):

          Cboot是掛在boot和LX之間的,而LX卻是下管的D級(jí),當(dāng)下管導(dǎo)通的時(shí)候,LX接地,芯片的內(nèi)部基準(zhǔn)通過Dboot(自舉二極管)對(duì)Cboot 充電。當(dāng)下管關(guān),上管通的時(shí)候,LX點(diǎn)的電壓上升,Cboot上的電壓自然就被舉了起來。這樣驅(qū)動(dòng)電壓才能高過輸入電壓。

          當(dāng)然芯片內(nèi)部的邏輯信號(hào)在提供給驅(qū)動(dòng)的時(shí)候,還需要Level shift電路,把信號(hào)的電平電壓也提上去。

          Buck電路,現(xiàn)在有太多的控制芯片集成了自舉驅(qū)動(dòng),讓整個(gè)設(shè)計(jì)變得很簡單。但是對(duì)于,雙管的,橋式的拓?fù)?,多?shù)芯片沒有集成驅(qū)動(dòng)。那樣就可以外加自舉驅(qū)動(dòng)芯片,48V系統(tǒng)輸入的,可以采用Intersil公司的ISL21XX,HIP21XX系列。如果是AC/DC中,電壓比較高的,可以采用IR的 IR21XX系列。

          下圖是ISL21XX的內(nèi)部框圖。



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