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          兩種高頻CMOS壓控振蕩器的設(shè)計與研究

          作者: 時間:2009-12-16 來源:網(wǎng)絡 收藏

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/188458.htm

          3 仿真結(jié)果和性能分析
          文中給出兩種多諧VCO:一種是3級反相器環(huán)形振蕩器(VCO1);另一種是4級差分環(huán)形振蕩器(VCO2)。這兩種多諧振蕩器在其中心頻率的輸出波形,如圖4(a),圖4(b)所示。VCO1和VCO2的壓頻特性,如圖5(a)和圖5(b)所示。本次設(shè)計采用了標準0.18μm n阱3層金屬工藝,提取版圖的網(wǎng)表和模擬參數(shù),進行后仿真。圖6(a),圖6(b)分別為VCO1和VCO2的版圖。表1列舉了這兩種VCO的主要特性。

          通過以上對兩種VCO的性能分析,得出這樣的結(jié)論:反相器環(huán)形VCO的優(yōu)點是電路設(shè)計簡單,振蕩頻率可以被設(shè)計得很高,但是它對電源或地的噪聲比較敏感,相位抖動較大。差分對型VCO的優(yōu)點是差分信號可以抑制地噪聲或電源噪聲,相位抖動較小。缺點是帶寬有限,不適于應用。


          4 結(jié)束語
          文中給出兩種高速多諧,采用了標準0.18μm 制造工藝實現(xiàn)了較高的工作頻率和低功耗。由于該電路不需要任何外加元件,容易實現(xiàn)高集成密度。

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          關(guān)鍵詞: CMOS 高頻 壓控振蕩器

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