如果加在MOSFET的Vgs低于溫度穩(wěn)定點（在IPD90N06S4-04中是Vgs6.2V），此時的MOSFET是正溫度系數(shù)的，就是f，ID的電流是隨著結(jié)溫同時增加的。在設(shè)計中，當(dāng)應(yīng)用在大電流的設(shè)計中時，應(yīng)避免使功率MOSFET工作在在正溫度系數(shù)區(qū)域。

　　當(dāng)Vgs超過溫度穩(wěn)定點（在IPD90N06S4-04中是Vgs>6.2V）, MOSFET是正溫度系數(shù)的, 就是f，ID的電流是隨著結(jié)溫的增加是減少的。這在實際應(yīng)用中是一個非常好的特性，特別是是在大電流的設(shè)計應(yīng)用中時，這個特性會幫助功率MOSFET通過減少ID電流來減少結(jié)溫的增加。

　　EAS: 為了了解在雪崩電流情況下功率MOSFET的工作情況，數(shù)據(jù)表中給出了雪崩電流和時間對應(yīng)的曲線，這個曲線上可以讀出在相應(yīng)的雪崩電流下，功率MOSFET在不損壞的情況下能夠承受的時間。對于同樣的雪崩能量，如果雪崩電流減少，能夠承受的時間會變長，反之亦然。環(huán)境溫度對于雪崩電流的等級也有影響，當(dāng)環(huán)境溫度升高時，由于收到最大結(jié)溫的限制，能夠承受的雪崩電流會減少。

　　數(shù)據(jù)表中給出了功率MOSFET能夠承受的雪崩能量的值。在次例子中，室溫下的EAS=331mJ

　　上表給出的只是在室溫下的EAS，在設(shè)計中還需要用到在不同環(huán)境溫度下的EAS，廠商在數(shù)據(jù)表中也會給出，如下圖所示。