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          智能單片線性鋰離子電池充電器IC設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-12-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          2.2 充電電流和熱調(diào)整波形圖
          充電電流和熱調(diào)整波形圖如圖6所示。由圖7可知,當(dāng)芯片的溫度達(dá)到105℃附近時(shí),熱調(diào)整電路自動(dòng)啟動(dòng),減小充電電流。以降低芯片的功耗。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/178214.htm

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          2.3 最壞情況下最終充電電壓仿真數(shù)據(jù)
          為確保即使在最壞情況下,最終充電電壓達(dá)到要求,對全電路進(jìn)行了電阻的所有corner RES_TT,RES_FF,RES_SS與MOSFET的所有cornerTT,F(xiàn)F,F(xiàn)S,SF,SS的交叉仿真,仿真后得到如表2和表3所示的最終充電電壓的典型情況與最差情況。其中,表3是在基準(zhǔn)電壓2.485 V未進(jìn)行微調(diào)情況下仿真得到的結(jié)果,表4是在對基準(zhǔn)電壓2.485 V微調(diào)后得到的仿真結(jié)果。

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          由表2、表3的仿真結(jié)果可知電池的最終充電電壓的仿真結(jié)果符合要求其精度如下:
          (1)VREF微調(diào)后,SEL=0或Vcc時(shí),VBAT可控制在4.1 V或4.2(1±0.4%)V。
          (2)VREF不進(jìn)行微調(diào)時(shí),SEL=0或VCC時(shí),VBAT可控制在4.1 V或4.2(1±0.8%)V。

          3 結(jié)論
          該芯片具有充電速度快、對電池保護(hù)功能強(qiáng)、低成本等特點(diǎn),是較為實(shí)用的智能化鋰電池芯片。


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