大功率VDMOS(200V)的設(shè)計(jì)研究
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時(shí)間：2011-12-28
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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3 結(jié)語(yǔ)
200V VDMOS器件的設(shè)計(jì)主要受到擊穿電壓和導(dǎo)通電阻兩個(gè)參數(shù)的相互影響和相互制約，在設(shè)計(jì)中應(yīng)優(yōu)化兩個(gè)參數(shù)的范圈。在滿足其中一個(gè)的條件下使另一個(gè)達(dá)到最優(yōu)的選擇，采用仿真設(shè)計(jì)可大大減少設(shè)計(jì)成本。
評(píng)論