高邊FET導(dǎo)通后;向Cds2充電/Cds1放電，輸出達(dá)到正電源電壓。FET關(guān)斷時(shí);由于電容無(wú)放電回路(Q2斷)，電容電壓保持不變，Q1零壓管斷(無(wú)彌勒效應(yīng))。Q1關(guān)后;仍由于電容做用而不承受電壓。

　　用正驅(qū)動(dòng)脈沖開(kāi)啟Q2，當(dāng)柵電壓達(dá)到門(mén)坎時(shí);Q2開(kāi)始通。Cds2短路放電;Cds1充電。顯然;Q2是硬開(kāi)通。Q1此時(shí)開(kāi)始實(shí)質(zhì)性承受電壓。由于Cdg1的充電;導(dǎo)致在Q1驅(qū)動(dòng)柵電阻上產(chǎn)生電壓。當(dāng)感應(yīng)電壓達(dá)到門(mén)坎時(shí);Q1/Q2瞬間發(fā)生上下直通。

　　半個(gè)周期描述結(jié)束，在此思考下半個(gè)周期的工作過(guò)程。

　　低端的管子是硬開(kāi)通軟關(guān)斷;高端皆然。這里引用網(wǎng)友helen閘的實(shí)測(cè)波形，供大家討論。注意：“ON”是;有明顯的彌勒效應(yīng)平臺(tái)，“OFF”時(shí);沒(méi)有。(電源網(wǎng)原創(chuàng)轉(zhuǎn)載注明出處)