飛兆半導(dǎo)體的 MicroFET™;系列產(chǎn)品可在廣泛的低電壓應(yīng)用中
節(jié)省空間并延長電池壽命

擴展的MicroFET產(chǎn)品系列提供了在其電壓范圍內(nèi)
最完備的2x2mm MLP封裝MOSFET器件


飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11種新型MicroFET™; MOSFET產(chǎn)品，提供業(yè)界最廣泛的的散熱增強型超緊湊、低高度 (2 x 2 x 0.8mm) 器件，面向30V和20V以下的低功耗應(yīng)用，包括移動電話、數(shù)碼相機、游戲機、遠程POS終端，以及其它大批量的便攜式產(chǎn)品。這些產(chǎn)品需要空間優(yōu)化和為了延長電池壽命和保證可靠性而需要優(yōu)秀的散熱和電氣性能。MicroFET功率開關(guān)結(jié)合飛兆半導(dǎo)體的先進PowerTrench® 技術(shù)和業(yè)界標準的模塑無鉛封裝 (MLP)，因此，較之于傳統(tǒng)使用大型封裝的功率MOSFET，MicroFET 器件在散熱性能和節(jié)省空間方面有著顯著優(yōu)勢。

飛兆半導(dǎo)體的MicroFET采用MLP封裝，為設(shè)計人員帶來全新的封裝選擇，即是在充電器、升壓轉(zhuǎn)換器、DC/DC轉(zhuǎn)換器及負載開關(guān)應(yīng)用中廣泛采用的SSOT-6或SC-70器件封裝之外。采用2x2mm MLP封裝的MicroFET較3x3mm SSOT-6封裝的MOSFET體積減小55%，同時具有更高的性能。例如，較之于典型的雙P溝道SSOT-6 (9mm2) 器件，MicroFET (4mm2) 的 RDS(ON) 降低了17% (95 mΩ對比于115mΩ)、熱阻降低16% (151