取R₃=5.1kΩ，R₀=39kΩ，則R₂=R₃AV₂=97.5kΩ，C₂==81.6pF，C₁==816pF，R₁==39kΩ，C₃==2040pF。

實(shí)際電路中，取R₂=100kΩ，C₂=100pF，C₁=800pF，R₁=39kΩ，C₃=2200pF。

4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果

將上面補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)加入后，逆變器可帶滿載并穩(wěn)定工作，其IGBT管兩端電壓vCE及輸出電壓v_o的波形如圖6所示，電路工作條件為：功率P=500W（滿載），母線電壓V_in=±180V。

(a) IGBT端電壓v_CE波形

(b) 輸出電壓v_o波形

圖6 逆變器開關(guān)管電壓與輸出電壓波形

5 結(jié)語

實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，將控制理論的頻率響應(yīng)法應(yīng)用于逆變器電壓單環(huán)反饋控制設(shè)計(jì)有其直觀簡單的優(yōu)點(diǎn)，同時易于實(shí)現(xiàn)。逆變器電路加入補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)后其穩(wěn)定性有所改善。不足之處在于，輸出波形在非線性負(fù)載及負(fù)載變化較大時畸變明顯，需要尋求更好的調(diào)節(jié)方法來改善。