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          多電平變換器拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和控制方法研究

          作者: 時間:2011-03-18 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/162290.htm

          這種與以上所述的二極管箝位式和電容箝位式比較有以下優(yōu)點:

          1)實現(xiàn)了電容電壓的自動箝位,不需要復(fù)雜的電容電壓平衡算法;

          2)將此的輸出端和輸入端交換,可以用相同電路實現(xiàn)功率的雙向流動,所以,這種結(jié)構(gòu)應(yīng)用范圍廣泛,可以實現(xiàn) DC/DC, DC/AC, AC/DC的功率轉(zhuǎn)換。

          該結(jié)構(gòu)的缺點:

          1)當(dāng)增加時,所需要的電容和功率開關(guān)數(shù)目都會增加許多,使得系統(tǒng)的成本和體積增大;

          2)由于使用了大量的功率開關(guān)和箝位電容,使得電路在工作時的開關(guān)損耗增大;

          3)隨著電路級數(shù)的增加,由于功率開關(guān)的通態(tài)壓降引起的每級電壓降落將越來越明顯。

          2.2 具有獨立直流電源的級聯(lián)式多逆變器

          以上使用無源元器件箝位的多逆變器

          方法相對簡單,可分別對每一級進(jìn)行PWM;

          3)H橋單元結(jié)構(gòu),為模塊化設(shè)計、制造帶來方便,另外,當(dāng)H橋出現(xiàn)故障,可將其旁路,余下的單元可以繼續(xù)工作。

          這種結(jié)構(gòu)的缺點在于:每個單元需要一個獨立的直流電源。隨著電平數(shù)的增加,串級電路單元使用的直流電源數(shù)也將大量增加。

          2.2.2 混合單元串聯(lián)逆變電路

          通常,開關(guān)速度快的器件(例如MOSFET、IGBT)的電壓容量比較低,而高電壓容量的器件(例如GTO、IGCT、IEGT)的開關(guān)頻率又較低。為了用更少的單元得到更多的電平,基于“混合功率單元[6]”的串級逆變電路得到了發(fā)展。這種結(jié)構(gòu)是傳統(tǒng)功率單元串聯(lián)逆變電路的推廣。

          文獻(xiàn)[7]提出了對2個獨立單元的直流箝位電源采用電壓比為1:2,一個單元使用IGBT,另一個單元使用IGCT的混合串級逆變電路,IGCT單元上的電壓2倍于IGBT單元,如圖6所示。在控制上,以基波開關(guān)IGCT,以PWM方式調(diào)制IGBT。比起功率單元串級電路,這種混合單元的串級電路有一個優(yōu)點:由于2個單元預(yù)先給定的電壓不同,IGBT單元和IGCT單元可以通過控制各自功率器件的開斷來相互協(xié)調(diào),從而實現(xiàn)單相7電平的輸出。這種結(jié)構(gòu)達(dá)到了用更少的單元得到更多電平的目的。

          圖 6 IGBT和 IGCT組 成 的 混 合 單 元

          Fig.6 Hybrid cell with IGBT and IGCT

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