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          聯(lián)發(fā)科技展訊聯(lián)芯角力TD芯片

          —— 惡戰(zhàn)難免
          作者: 時間:2011-01-24 來源:慧聰電子 收藏

            基于此,展訊決定直接研發(fā)40納米工藝。“盡管風險巨大,但時不我待。”一位展訊內(nèi)部人士如此形容市場競爭的急迫狀態(tài)。

          本文引用地址:http://yuyingmama.com.cn/article/116366.htm

            事實上,各大供應(yīng)商也在暗自角力。據(jù)了解,聯(lián)芯科技、T3G和聯(lián)發(fā)科,目前也有更高工藝制程的TD芯片研發(fā)計劃。“按照正常的研發(fā)周期測算,一般要在一年半到兩年時間。”李力游認為,在TD芯片性價比上,“展訊將有至少領(lǐng)先一年的時間差。”

            據(jù)悉,目前包括高通、博通在內(nèi),全球主流的3G芯片商用產(chǎn)品,一般集中在65納米工藝,少數(shù)產(chǎn)品達到45納米工藝。

            最新消息顯示,包括青島海信、華為終端公司在內(nèi)的多家手機廠商,已經(jīng)開始采用展訊此款芯片,并通過了工信部的入網(wǎng)檢測和中國移動的入庫檢測。“其最終的性能是否達到大規(guī)模商用化的要求,還有待市場檢驗。”有業(yè)內(nèi)人士分析。


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