意法半導體日前針對汽車市場推出新的大電流功率場效應MOS晶體管，該產(chǎn)品采用ST最新優(yōu)化的STripFET專利技術，實現(xiàn)了最低的導通電阻。

　　據(jù)介紹，STD95N04是一個40V標準電平的DPAK產(chǎn)品，最大導通電阻RDS(on)6.5mΩ，專門為DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機控制、電磁閥驅(qū)動器和ABS設計的。新產(chǎn)品的典型RDS(on)在5mΩ區(qū)間內(nèi)，能夠滿足標準閾壓的驅(qū)動要求。STD95N04符合汽車電工理事會組件技術委員會針對汽車環(huán)境用組件制定的AEC Q101分立器件應力測試標準。該組件最大工作溫度175℃，100%通過雪崩測試。 

　　STripFET技術以密度大幅度提高的單元為基礎，導通電阻和功耗比上一代技術更低，占用的硅片面積更少。正在開發(fā)的其它的功率場效應MOS晶體管將采用相同的技術，以滿足DPAK和D2PAK的需求。

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