臺(tái)灣無(wú)廠企業(yè)瑞昱半導(dǎo)體和美國(guó)加利福尼亞大學(xué)的研究小組，將在“ISSCC 2006”會(huì)議上發(fā)表在單芯片中集成支持無(wú)線通信技術(shù)“UWB（超寬帶）”的物理層和RF收發(fā)電路的LSI。據(jù)悉，這將是首次公開發(fā)表在單芯片中集成UWB物理層處理電路和RF電路的LSI。演講題目為《A Fully Integrated UWB PHY in 0.13μm CMOS》（演講序號(hào)：6.6）。 

　　利用130nm工藝CMOS技術(shù)在單芯片中集成了直接轉(zhuǎn)換方式的RF收發(fā)電路和物理層處理電路。UWB的調(diào)制方式采用高速無(wú)線通信業(yè)界團(tuán)體“WiMedia”提出的多頻帶OFDM。在3.1GHz～4.8GHz頻帶中，支持跳頻和固定頻率2種模式。從RF收發(fā)器的耗電電流來(lái)看，接收時(shí)為100mA，發(fā)送時(shí)為70mA。芯片尺寸為17mm2。